TFT-LCD生产中毛刷清洗工艺的研究

以玻璃基板表面残留的各种微粒（Particles）的去除率为依据,研究TFT-LCD生产清洗工艺中毛刷的旋转方向、旋转速度和毛刷相对玻璃的压入量等因素对玻璃基板表面particles清洗效果的影响,探讨这些因素的作用机理,为TFT-LCD生产以提供最佳的清洗工艺方法。     

HTM技术中细微图形成形效果的衍射理论分析与实验结果

针对使用半色调掩膜技术的TFT LCD玻璃基板曝光过程中的衍射和干涉现象进行了分析.文中给出了衍射和干涉现象的理论模型,并且对这两种现象在HTM技术中所起的作用进行了解释,尤其针对不同的狭缝宽度和狭缝间距的结构进行了分析.给出了扫描电镜的图片做为进一步的说明.     

O2/SF6混合气体对光刻胶的离子刻蚀研究

以O2＋SF6为刻蚀气体,在一定压力下使用RIE刻蚀机刻蚀光刻胶。通过改变功率、O2流量和SF6流量,研究以上因素的改变对光刻胶灰化速率的影响。实验结果表明：单组分O2存在下,O2流量的增加不会影响光刻胶的灰化速率。设备Plasma功率以及气体比率变化对灰化率有显著影响,并通过光谱分析对光刻胶的灰化反应机理进行了初步研究。     

a-Silicon剩余厚度和TFT特性的关系研究

以Cl2 SF6为刻蚀气体用RIE刻蚀机在200mtorr压力下刻蚀Channel部a-Silicon。通过调整刻蚀时间,研究a-Silicon剩余厚度对TFT特性的影响,并通过在线电学特性测试设备EPM对TFT器件电学特性进行测量和评估。在这里说明测试用的Glass,Channel部的a-Silicon是由三层物质L:a-Silicon、H:a-Silicon、和n a-Silicon按照21.74%、56.52%、21.74%的比例沉积而成。其中n a-Silicon是Channel部必须去除的部分,其余两部分才是影响TFT特性的因素,而TFTChannel的真正形成也是在L:a-Silicon层。所以整个实验过程中需要考虑一点是H:a-Silicon在全部a-Silicon(包含L:a-Silicon、H:a-Silicon、和n a-Silicon)中的比例,即所谓的H:a-Silicon%。因为既要保证下面的L:a-Silicon层不受影响,同时还要保证上面的n a-Silicon曾被完全去除,所以实验中的时间选定必须从某个定点开始。实验结果说明当H:a-Silicon的剩余厚度为10.8%时TFT特性明显变差,那么可以保守的得出:在其它条件不变的情况下,H:a-Silicon的剩余厚度在a-Silicon总厚度的25%～45%范围之内时TFT器件的电学特性受到的影响很小;而H:a-Silicon剩余厚度少于a-Silicon总厚度的25%时TFT器件的电学特性变差,即工作电流变小、开启电压变大、漏电流和迁移率没有明显差异。     

a-Si厚度对TFT开关特性的影响

通过在线电学测试设备,研究了不同a-Si厚度对TFT开关电学特性的影响。本试验通过调整刻蚀时间改变沟道内a-Si的剩余厚度,在此基础上找出电学特性比较稳定的区域和电学特性变差的临界点。试验结果表明,在其它条件不变的情况下,a-Si剩余厚度在33～61%时TFT的电学特性比较好,a-Si剩余厚度小于33%之后,TFT的电学特性变差,即工作电流变小,阈值电压变大,迁移率变小。     

CL2+SF6混合气体对Si和SiNx的离子刻蚀研究

采用统计实验方法研究了利用SF6 Cl2混合气体产生的等离子体进行Si和SiNx的反应离子刻蚀技术。在相同的输出功率和压力的条件下,将Si和SiNx的刻蚀速率和选择比表示为SF6百分比含量的函数。文中讨论了SF6含量的变化对刻蚀速率、选择比和坡度角的影响及刻蚀机理,证实了即使是SF6含量的少量改变也会对Si和SiNx的刻蚀速率、选择比和坡度角有重要的影响。并通过光谱分析来深层次地讨论刻蚀速率受SF6含量影响的原因。