LDMOS的局部电热效应分析

分析了LDMOS (lateral DMOS）在一次雪崩击穿后的局部电热效应. 提出并证明了等温分析和电热分析分别得到的LDMOS的触发点是不同的；分析了局部晶格温度在空间上的分布特点;并提出晶格温度弛豫时间会影响漏极电压弛豫时间.从而证明LDMOS工作于ESD (electro-static discharge）保护的大电流区时，电热分析比等温分析的模拟结果与实验结果符合得更好.     

LDMOS在正常开关工作下的瞬态热效应

利用热等效电路对外加连续脉冲产生的热效应中晶格温度的上升及下降作了研究并与实验进行了比较.结果表明,若高频脉冲的延迟时间大于降温驰豫时间,则器件处于热安全工作区.对热阻为3.5K/W,热容为5μs·W/K的LDMOS,如脉冲频率小于7.14kHz且占空比为0.5,或脉冲频率为10kHz且占空比小于0.3,则该器件工作在热安全区.文中还给出了功率器件热安全工作区的判据.     

LDMOS开关在不同频率下的热安全工作

研究了LDMOS器件内部的最高温度与开关频率之间的关系.结果表明:在较高频率工作时,器件内部的最高温度与器件的热容、功耗、占空比和连续工作时间有关,而与器件的热阻和信号周期无关,器件会一直处于升温状态;在较低频率工作时,器件内部的最高温度还与器件的热阻和周期有关.所得结果可作为功率器件在各种频率下工作时热安全工作的参考.     

姜汁对凝乳的影响及其在生产应用中的探索

实验证明姜汁能够促进凝乳。应用嗜热链球菌(S.t)和保加利亚乳杆菌(L.b)作为发酵菌种,对含有不同姜汁添加量的牛乳在42.5℃进行发酵,并做对照实验。观察凝乳时间,并测定发酵过程中的pH值、酸度。结果表明,0.5%的姜汁就能够在发酵剂的基础上缩短凝乳时间(50 min内可以凝乳),促进发酵。     

栅压对LDMOS在瞬态大电流下工作的温度影响

研究 LDMOS在一次雪崩击穿后的大电流区,栅压对器件内部温度的影响.结果表明:温度随正栅压升高而升高,随负栅压升高而降低,并分析了有源区内电场强度、电流密度和功率密度随栅压的变化规律.从而证明,与LDMOS栅接地时相比,正栅压降低了器件的静电放电能力,而负栅压则提高了器件的静电放电能力.     

用模糊综合评判方法确定塔里木河流域重点工程项目排序的研究

本文试图运用模糊关系合成原理通过建立数学模型，确定综合评判指标、模糊集和隶属函数，对具有众多不同特性和指标的新疆塔里木河流域重点工程项目排序进行多因素模糊综合评判，从而为定量方法综合多因素选择合理方案提供了有效途径。     

LDMOS在正常开关工作下的瞬态热效应

利用热等效电路对外加连续脉冲产生的热效应中晶格温度的上升及下降作了研究并与实验进行了比较.结果表明,若高频脉冲的延迟时间大于降温驰豫时间,则器件处于热安全工作区.对热阻为3.5K/W,热容为5μs·W/K的LDMOS,如脉冲频率小于7.14kHz且占空比为0.5,或脉冲频率为10kHz且占空比小于0.3,则该器件工作在热安全区.文中还给出了功率器件热安全工作区的判据.     

栅压对LDMOS在瞬态大电流下工作的温度影响

研究 LDMOS在一次雪崩击穿后的大电流区,栅压对器件内部温度的影响.结果表明:温度随正栅压升高而升高,随负栅压升高而降低,并分析了有源区内电场强度、电流密度和功率密度随栅压的变化规律.从而证明,与LDMOS栅接地时相比,正栅压降低了器件的静电放电能力,而负栅压则提高了器件的静电放电能力.     

栅压对LDMOS在异常大电流下工作的影响

研究LDMOS在一次雪崩击穿后的大电流区，栅压对器件内部温度的影响。结果表明，有源区电流密度、功率密度和温度都随正栅压升高而增加，证明LDMOS在栅接地时比栅不接地时具有更好的静电放电能力。