PZT薄膜三方-四方相变的拉曼散射研究

拉曼散射是研究薄膜相变的一种有效方式,此篇文章采用溶胶-凝胶法制备PZT薄膜,并以差热实验为基础确定退火温度,并用拉曼散射研究三方-四方相变趋势。分析结果表明中频区域的A1(2TO)振动模,作为四方相的一个标志,随着退火温度的升高其强度逐渐增强,三方在向四方转变;高频范围的A1(3TO)T振动模随着退火温度的升高其强度也在逐渐增强,三方晶胞在减少而四方晶胞在增多,即随着退火温度的升高,三方有向四方转变的趋势。     

硅基PZT热释电薄膜三方-四方相变的拉曼散射研究

采用溶胶-凝胶法在硅衬底上成功制备出厚度约200nm的PZT薄膜,并以差热实验为基础,分别采用600℃、650℃和700℃三种退火温度,并对不同温度下的薄膜进行拉曼测试,分析三方-四方相变趋势,研究结果表明,中频区域的A1（2TO）振动模作为四方的一个标志,随着退火温度的升高强度逐渐增强,三方向四方转变;高频范围的A1（3TO）T振动模随着退火温度的升高强度也在逐渐增强,三方晶胞在减少而四方晶胞在增多,即随着退火温度的升高,三方有向四方转变的趋势。     

Raman scattering studies on PZT thin films for trigonal-tetragonal phase transition

PZT thin films were successfully prepared through sol-gel. The annealing temperature was confirmed through DTA analyzing. The trigonal and tetragonal phase transition was analyzed through Raman scattering. The intensity of the A1（2TO） mode and the A1（3TO）T mode were enhanced with the increase of the annealing temperature. So, the conclusions were obtained that the trigonal phase turned into a tetragonal phase as temperature increased.     

硅基PZT热释电薄膜湿法刻蚀技术研究

通过对不同组合比的PZT薄膜湿法刻蚀技术研究,成功地配制出两种不同的刻蚀液,主要以HF、NH4F、HCl、NH4ClEDTA、HNO3为原料,NH4F、NH4Cl和EDTA的引入,有效地实现了刻蚀速率的可控性,并对PZ0.15R0.85、PZ0.3T0.7、PZ0.5T0.5和P1.1Z0.3T0.3四种薄膜进行微图形化研究,分析了刻蚀液对各种成份的刻蚀机理,通过实验,得到了分别刻蚀四种薄膜的刻蚀液的最佳配比,并对四种薄膜的刻蚀速率进行了研究。