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以甘蔗渣为基质制备碳量子点,先将甘蔗渣高温碳化得到黑色固体,再利用化学氧化法制备碳量子点。通过高分辨率透射电子显微镜、傅里叶变换红外光谱仪、荧光光谱仪以及紫外-可见分光光度计对制备的碳量子点的形貌、表面官能团及荧光特征进行了表征。结果表明:碳量子点颗粒直径在10～20nm之间,晶格为0.30nm;碳量子点表面含有一定量的羟基等含氧基团;在激发波长300nm处有较强的荧光发射峰。通过检测不同储存时间的碳量子点的荧光强度发现,储存120d碳量子点荧光强度仍能保持80.07%。 相似文献
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论述了通过优化难熔金属栅电极的溅射工艺及采用适当的退火温度修复损伤来提高3nm栅氧W/TiN叠层栅MOS电容的性能.实验选取了合适的TiN厚度来减小应力,以较小的TiN溅射率避免溅射过程对栅介质的损伤,并采用了较高的N2/Ar比率在TiN溅射过程中进一步氮化了栅介质.实验得到了高质量的C-V曲线,并成功地把Nss(表面态密度)降低到了8×1010/cm2以下,达到了与多晶硅栅MOS电容相当的水平. 相似文献
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优化了栅电极溅射工艺的难熔金属栅MOS电容的性能 总被引：2，自引：2，他引：0
论述了通过优化难熔金属栅电极的溅射工艺及采用适当的退火温度修复损伤来提高 3nm栅氧 W/ Ti N叠层栅 MOS电容的性能 .实验选取了合适的 Ti N厚度来减小应力 ,以较小的 Ti N溅射率避免溅射过程对栅介质的损伤 ,并采用了较高的 N2 / Ar比率在 Ti N溅射过程中进一步氮化了栅介质 .实验得到了高质量的 C- V曲线 ,并成功地把 Nss(表面态密度 )降低到了 8× 10 1 0 / cm2以下 ,达到了与多晶硅栅 MOS电容相当的水平 相似文献
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