低温分子束外延生长GaAs材料及相关器件研究进展

本文概括了低温分子束外延GaAs(LT MBE GaAs)材料的发展历史及国内外的最新研究状况。简单介绍了这种材料在器件方面的应用及其性质的理论研究进展。针对此种材料研究中尚需解决的一些问题进行了讨论,并就国内现有基础分析了此项研究的必要性及可行性。     

低温分子束外延GaAs薄膜的带边二次电光效应和光折变效应

本文研究了低温生长分子束外延GaAs薄膜的光电子性质．我们测量了它的I-V特性；用电调制透射谱测量了电吸收和电折变，并由此分析了它的带边共振吸收平方电光效应；用二波混合的方法测量了它的光折变性质．对两种方法得到的电吸收和电折变作了分析比较．     

GaAs超高速电压比较器及利用低温MBE GaAs缓冲层的改进设计

简要介绍了ＧａＡｓ超高速电压比较器的国内外发展水平。设计并研制了具有１．０ＧＨｚ时钟频率的高性能电压比较器。该器件采用亚微米ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ工艺技术，其电压分辨率高达１１．３ｍＶ，功耗仅为２７４ｍｗ。最后给出了利用低温分子束外延生长ＧａＡｓ作缓冲层的进一步改进设计。     

超高速门阵列及设计

本文简介了超高速门阵列的概念、应用及国内外发展水平。对其布局及布线方法进行了讨论。并给出了典型的超高速门阵列的单元库。     

SZ系列GaAs门电路应用研究

本文叙述了SZ系列GaAs超高速门电路结构、原理及超高频特性.针对阻抗匹配与高频时钟信号传输的关系等问题展开了深入的讨论,并给出了用SZ系列GaAs门电路搭制的环形振荡器及时钟提取电路的瞬态结果.搭制的三级环形振荡器其振荡频率可达400MHz以上,搭制时钟提取电路,提取出的时钟信号可达2Gb/s.     

低温分子束外延GaAs薄膜的研究

我们利用分子束外延方法生长了低温ＧａＡｓ薄膜，并应用Ｘ射线双晶衍射、ＴＥＭ等手段对其进行了初步研究．发现原生样品和树底之间存在晶格失配．随着退火温度的上升，晶格失配逐渐消失．ＴＥＭ观察到６００，７００，８５０℃退火后的样品中存在大量的砷沉淀物．沉淀物大致呈球形．砷沉淀物的直径随着退火温度的上升而线性地增大，而密度却随退火温度的上升指数地下降．     

高速GaAs源耦合FET逻辑电路的分析

源耦合FET逻辑(SCFL)电路是为千兆位数字信号处理而提出来的。本文介绍了SCFL电路中FET阈值电压的容限和SCFL电路的性能。SCFL门速度取决于其中FET的工作范围。为实现高速,必须提供一个高于夹断电压的FET源漏电压。预计由1.5μm栅长FET构成的SCFL门最小延迟时间共达25ps/门,最小上升时间与下降时间分别可达54ps和51ps,最大RZ数据速率可达5.6Gb/s。SCFL电路可用于高速数字信号处理。