电极边缘效应对ZnO压敏电阻片通流能力的影响

发现并研究了电极半径ｒ与瓷体半径Ｒ之比ｒ／Ｒ对ＺｎＯ压敏电阻片耐受２ｍｓ方波电流冲击能力的作用规律．利用平面电阻网络和立体氧化锌压敏电阻器网络，实验模拟了ｒ／Ｒ对电极边缘电流密度分布的作用规律，研究结果表明增大ｒ／Ｒ能使电流密度均匀化，因而能增强ＺｎＯ压敏电阻片的通流能力。     

ZnO压敏陶瓷的非线性功能添加剂

本文采用单元掺杂与多元掺杂的方法，系统研究了几种过渡金属氧化物添加剂在控制ＺｎＯ压敏陶瓷非线性方面的作用，并根据金属阳离子外壳层电子结构稳定性和缺陷化学反应进行了分析，认为阳离子具有不饱和外层电子结构且半径与Ｚｎ＾２＋离子相近的过渡金属氧化物能改善ＺｎＯ压敏陶瓷非线性。     

稀土氧化物掺杂ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷"软心"现象的研究

掺杂稀土氧化物的大尺寸ZnO压敏陶瓷具有明显的“软心”特征,即内部电位梯度远远低于表层。经过XPS关于Zn结合能的研究、SEM关于杂质分布状况的研究及XRD关于相态的研究表明:试样内部氧和添加剂的匮乏及晶态的不完善是影响内层电位梯度的三大主要因素。     

城市道路照明中调压节能技术的应用

1　引言城市道路照明的设计与运行 ,关系着夜间城市道路交通的行车安全 ,要达到一定的照度和照明质量标准 ,必然要耗用不少的电能。长期以来 ,从事室外照明的科技工作者 ,在以节能环保为宗旨的绿色照明计划指导下 ,对道路照明节能做了不少工作 ,不仅使许多节能光源 (及附件 )、高效灯具等绿色照明产品 ,得到了较广泛的运用 (通过提高光效、不牺牲照度的节能 ) ;针对城市道路照明运行时段上的特点 ,从分时段(晚间和深夜 )控制上作了许多尝试和研究 (是在特定条件下、有限的范围内降低照度而节能 )。2　调压产品技术的应用分析城市道路照明在…     

低温烧结ZnO-玻璃系压敏陶瓷的研究

研究了不同硼硅玻璃配方及相关工艺对低温烧结(1000和1050℃下烧结)ZnO玻璃系压敏陶瓷致密化过程和电气性能的影响.发现含较多PbO和少量ZnO的G1玻璃具有较合适的软化点温度和较好的晶粒润湿性,对应试样的电气性能最好坯体初始密度、保温时间、降温速率和烧结气氛都显著影响着试样的烧结性能和电气性能.     

直流偏磁对500 kV变压器振动特性的影响分析

特高压直流工程单极-大地回路运行时,直流电流侵入大型变压器绕组,致使变压器振动加剧。为了深入了解直流偏磁对大型变压器振动特性的影响,分析了变压器的振动机理及直流偏磁的影响机制。在白鹤滩—江苏 ± 800 kV特高压直流输电工程调试期间,对500 kV三相变压器的中性点电流、振动信号进行了实测,量化了直流偏磁程度,分析了不同直流偏磁程度下变压器振动信号时域及频谱特征。提取了波形畸变比、奇偶次谐波能量比、累计能量占比、功率谱熵等特征量来分析直流偏磁对大型变压器振动特性的影响。结果表明：直流偏磁导致波形畸变,1个工频周期内2个半周期对应的振动波形不再对称分布;随着直流偏磁程度增加,振动信号主频分量改变,50 Hz倍频谐波分量增多,其中50 Hz奇次谐波增幅要大于偶次谐波,且影响主要集中在600 Hz以内;由于铁心饱和作用,直流偏磁增大到一定程度时,磁不平衡性降低,振动信号复杂度不再增加。     

SrTiO3双功能陶瓷的施主掺杂研究

研究了２５％Ｎ２＋７５％Ｈ２（体积分数）强还原烧结气氛下施主添加剂Ｎｂ２Ｏ５、Ｌａ２Ｏ３对ＳｒＴｉＯ３双功能陶瓷半导化的作用规律，结果表明随着添加量的增大，Ｎｂ２Ｏ５掺杂试样的表观电阻率单调下降，而Ｌａ２Ｏ３掺杂试样的表现电阻率呈“Ｕ”形曲线，研究了在Ｌａ２Ｏ３高、低两种添加量下，烧结温度对半导化的作用规律，实验结果表明随着烧结温度的升高，高掺杂试样的表观电阻率逐上升，而低掺杂试样逐渐下降，在ＸＲ     

改善ZnO压敏元件温度特性的研究

从实验上探索了降低ＺｎＯ压敏陶瓷元件泄漏电流温度系数的途径和方法，研制了特殊添加物，在通常的ＺｎＯ压敏瓷料中添加适量特殊添加物，可以改变ＺｎＯ压敏陶瓷泄漏电流的温度特性，达到降低泄漏电流温度系数的目的。泄漏电流随温度变化在３１～３４°Ｃ出现极大值可能是杂质离子对电子的散射作用所致。     

受阻酚抗氧剂对交联聚乙烯绝缘料交联流变特性的影响

交联聚乙烯（XLPE）绝缘料的交联流变特性可以反映绝缘料挤出过程中的过早交联现象和加工性能。绝缘料中的受阻酚抗氧剂不仅可以抑制挤出过程中的热氧化和降解,还可以有效地捕获自由基来抑制交联反应,从而改善聚乙烯熔体的加工性能。通过制备不同受阻酚抗氧剂种类和不同含量的绝缘料,测试140℃下剪切作用中绝缘料的扭矩与温度的变化,研...     

ZnO-Bi_2O_3系压敏陶瓷晶界对残压的影响

ZnO压敏陶瓷残压的高低决定了MOA的保护水平,针对残压的形成机制尚不清楚,测量了传统工艺制备的ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷的小电流区、大电流区及部分中电流区的伏安特性,通过对中电流区和大电流区伏安特性的数据拟合发现,中电流区晶界电压降与电流密度之间符合隧道电流导电机制,且当进入大电流区时该晶界击穿电压最终达到一稳定值。计算表明,晶界击穿电压所引起的残压占总残压的90%左右,因此降低残压应主要考虑降低晶界上的击穿电压。