微型平面薄膜气敏元件及过冲驰豫现象的机理

利用粉末反溅研制了SnO2/CeO2Si基微型平面薄膜元件,最佳乙醇灵敏度达到80,响应时间＜10s,恢复时间＜15s;采用闭式实验测量方法时出现了过冲驰豫现象,对其产生机理的物理过程进行了分析,找出了规律,并使用Matlab软件进行了仿真.     

不同钝化层对硅基铝金属膜应力影响的研究

采用光偏振相移干涉原理测量了硅基上不同钝化层下铝膜应力的变化.研究表明:不同的钝化层对铝膜的应力影响不同.SiO2钝化层下的铝膜应力最小,而钝化层为聚酰亚胺的铝膜应力最大.200 ℃下退火4 h后,应力减小明显,且分布趋向均匀.同时采用有限元法对不同钝化层的铝膜进行了应力模拟,模拟结果与实验结果相符.     

溅射沉积富镁Mg3Bi2薄膜的热电性能

采用Mg-Bi化合物靶和金属Mg靶用磁控溅射技术制备富Mg的Mg₃Bi₂薄膜并表征其相组成、表面和截面形貌,研究了薄膜的热电性能。结果表明,这种富Mg薄膜由Mg₃Bi₂相和金属Mg相组成且Mg₃Bi₂结构中有Mg空位,具有p型导电特征,Seebeck系数为正值。随着温度的提高,富Mg薄膜的电阻率先略微提高而后显著降低;随着Mg含量的提高富Mg薄膜的电阻率逐渐提高,但是Mg含量达到一定数值后电阻率又急剧下降。Mg含量较低时Seebeck系数随着温度的提高开始时略下降随后很快增大,达到最大值后又很快降低;Mg含量较高时随着温度的提高Seebeck系数开始时略增大,随后缓慢下降。除了Mg含量较低的样品,在温度相同的条件下随着Mg含量的提高薄膜的Seebeck系数值增大,但是Mg含量过高时Seebeck系数值迅速降低,达到普通金属材料Seebeck系数的数量级。这种富Mg薄膜的功率因子,受Seebeck系数和电阻率制约。     

基于序进应力加速实验评价失效率的新方法

基于序进应力加速寿命实验的研究,提出了一种快速确定半导体器件失效率及寿命分布的新方法.该方法将序进应力加速实验应用于失效率评价中,在计算失效激活能并外推寿命的基础上,快速确定微电子器件的寿命分布及相应的失效率.以样品3DG130为例,在160～310℃范围内进行了序进应力加速寿命实验,然后根据模型计算得到了器件的寿命、分布和失效率.结果与文献吻合很好,验证了方法的可行性.     

多层金属化系统中蓄水池效应对电迁移寿命的影响

在W通孔的多层金属化系统中,金属离子的蓄水池效应对其电迁移寿命的影响很大,文中设计制作了12种不同的蓄水池结构,并进行了电迁移实验.着重考察蓄水池面积、通孔位置、通孔数目对互连线电迁移寿命的影响,得出蓄水池的面积是影响电迁移寿命的主要因素.     

掺Ag的β-Cu2Se薄膜的溅射沉积及热电性能

目的 研究Ag掺杂对Cu2Se薄膜物相组成以及热电性能的影响.方法 使用粉末烧结的Cu2Se合金靶和高真空磁控溅射设备制备掺Ag的Cu2Se热电薄膜.使用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)以及能谱仪(EDS)研究沉积薄膜的物相组成、表面和截面形貌、元素的含量和分布.通过Seebeck系数/电阻分析系统LSR-3测量薄膜的电阻率及Seebeck系数,从而研究不同掺Ag量的Cu2Se薄膜的热电性能.结果 使用磁控溅射技术,利用α-Cu2Se合金靶,可制备出以β-Cu2Se相为主,含极少量α-Cu2Se相的Cu-Se薄膜.薄膜中掺杂的Ag不进入β-Cu2Se相的点阵中,而是在薄膜中形成纳米尺寸的CuAgSe第二相.沉积薄膜的β-Cu2Se相点阵中富含Cu,在Ag含量由0增加到2.97％(原子数分数)的变化过程中,其 β-Cu2Se相点阵中[Cu]/[Se]比率大于理想比率2.0,由3.59变化到4.96.β-Cu2Se相点阵中富含Cu,使得沉积的β-Cu2Se薄膜的电阻率低于文献中块体材料.随Ag含量的增加,β-Cu2Se薄膜的电阻率先降低、后升高;对于Seebeck系数,电阻率大的薄膜,其Seebeck系数也大.Ag原子数分数为1.37％的样品,因掺杂后Seebeck系数显著提高,其功率因子最大.结论 使用磁控溅射技术制备的富Cu的β-Cu2Se薄膜,具有低电阻率的优点.掺杂适量的Ag,能够显著提高薄膜的Seebeck系数,从而获得较高的功率因子.     

多层金属化系统中蓄水池效应对电迁移寿命的影响

在W通孔的多层金属化系统中,金属离子的蓄水池效应对其电迁移寿命的影响很大,文中设计制作了12种不同的蓄水池结构,并进行了电迁移实验.着重考察蓄水池面积、通孔位置、通孔数目对互连线电迁移寿命的影响,得出蓄水池的面积是影响电迁移寿命的主要因素.     

多层金属化系统中的蓄水池效应

对于W通孔多层金属化系统来说,金属离子蓄水池效应对其电迁移寿命的影响很大.设计了12种不同的蓄水池结构,并进行电迁移实验;考察了蓄水池面积、通孔位置、数目及大小等对互连线的电迁移寿命的影响,得出蓄水池的面积是影响电迁移寿命的主要因素.     

采用粉末溅射的SnO2/CeO2薄膜气敏材料及元件

为改善气敏元件的性能 ,提高稳定性 ,采用粉末反溅研制了 SnO2/CeO2乙醇敏感材料 ,结果 表明灵敏度在 CeO2掺杂范围 4%- 32%、膜厚 100- 180nm时较佳 ,特征时间τ与膜厚 l遵循 τ∝ l2规律 ,研制出乙醇灵敏度 20- 80、特征时间 < 15s的微型平面旁热式 SnO2气敏元件 ;元件 灵敏度测试存在一个 4.5- 10.5V相对稳定的测试电压区间 ,且在湿度影响下显著降低.     

浅议企业内部控制存在的问题及对策

通过对目前我国企业内部控制现状存在问题的分析,从优化控制环境、实施内控承诺制以及加强监督与评审等方面提出了完善企业内部控制的建议。