Pt-Ni/p-InP低阻欧姆接触的机理研究

本文利用Ｘ射线衍射和ＡＥＳ（俄歇）方法，深入地研究了ＲＦ磁控溅射淀积的Ｐｔ－Ｎｉ／ｐ－ＩｎＰ（１００）非合金膜系在热退火过程中Ｐｔ和Ｎｉ与衬底ＩｎＰ中的Ｉｎ和Ｐ形成稳定化合物的行为，揭示了比接触电阻降低到３×１０－６Ω·ｃｍ２的根本原因     

设备资产评估的实践

为了有利于资产管理,增强企业后劲,使企业固定资产符合现行价值,我们对试点企业现有的固定资产价值进行了评估,做法如下。 根据国家国有资产管理局的文件规定,设备重估价值等于设备重置价值与折新率的乘积。所以,设备资产评估主要是确定设备重置价值和折新率。 1.确定设备重置价值 设备的重置价值,是指现购一台同类型新设备应     

SnO_2薄膜和气敏特性

应用射频溅射法制备SnO_2膜。对SnO_2膜进行了AES、ESCA理化学分析,结果表明:SnO_2膜的成分完全由SnO_2所组成,膜中并没有分离的Sn的成分。同时也对SnO_2膜进行了气敏特性测试分析,结果表明:SnO_2和Pd/SnO_2膜对CH_4、CO、H_2、NO_2、H_2S等气体均有明显的敏感特性,当SnO_2膜表面掺入几十(?)P_d后,对上述气体的敏感性有所增加,工作温度可降低到150℃左右,选择性也有不同程度的改善。     

808nm大功率量子阱激光器无吸收腔面镀膜的研究

用电子束反应蒸发法制备的ａＳｉ∶Ｈ膜和Ａｌ２Ｏ３膜组成的ａＳｉ∶Ｈ／Ａｌ２Ｏ３膜系,解决了ａＳｉ／Ａｌ２Ｏ３膜系在８０８ｎｍ波长有较强光吸收问题,吸收系数从２e３ｃｍ－１降低到可以忽略的程度．ａＳｉ∶Ｈ膜的光学带隙为１.７４ｅＶ左右．应用到８０８ｎｍ大功率量子阱激光器腔面镀膜上,其器件光电性能获得较大改善     

Wafer bonding technique used for the integration of cubic GaN/GaAs (001) with Si substrate

We successfully used the metal mediated-wafer bonding technique in transferring the as-grown cubic GaN LED structure of Si substrate. The absorbing GaAs substrate was removed by using the chemical solutions of NH4OH : H2O2=1 : 10. SEM and PL resuls show that wafer bonding technique could transfer the cubic GaN epilayers uniformly to Si without affecting the physical and optical properties of epilayers. XRD result shows that there appeared new peaks related to AgGa2 and Ni4N diffraction, indicating that the metals used as adhesive and protective layers interacted with the p-GaN layer during the long annealing process. It is just the reaction that ensures the reliability of the integration of GaN with metal and minor contact resistance on the interface.     

量子阱无序的窗口结构InGaAs/GaAs/AlGaAs量子阱激光器

对ＳｉＯ２薄膜在快速热退火条件下引起的空位诱导ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变量子阱无序和ＳｒＦ２薄膜抑制其量子阱无序的方法进行了实验研究。并将这两种技术的结合（称为选择区域量子阱无序技术）应用于脊形波导ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ应变量子阱激光器，研制出具有无吸收镜面的窗口结构脊形波导量子阱激光器。该结构３μｍ条宽激光器的最大输出功率为３４０ｍＷ，和没有窗口的同样结构的量子阱激光器相比，最大输出功率提高了３６％。在１００ｍＷ输出功率下，发射光谱中心波长为９７８ｎｍ，光谱半宽为１．２ｎｍ。平行和垂直方向远场发散角分别为７．２°和３０°     

2.5GDFB量子阱激光器p型欧姆接触电极的研究

对2.5GDFB量子阱激光器p型低阻欧姆接触电极进行了研究,在退火温度400℃,退火时间30s进行快速热退火条件下,对Au-Pt-Ti/InAs/p+-InGaAs(掺Zn>1×1019cm-3)/MQW/n-InP和Au-Pt-Ti/p+-InGaAs(掺Zn>1×1019cm-3)/MQW/n-InP两种结构进行了p型欧姆接触试验研究,并对两者串联电阻进行了比较,其结果前者的串联电阻阻值为后者的1/4.     

蓝宝石基LED外延片背减薄与抛光工艺研究

研究了蓝宝石基LED外延片背减薄过程中去除速率和表面粗糙度与研磨转速和研磨压力的关系,比较了不同的磨料颗粒度对去除速率和表面粗糙度的影响,并研究了抛光过程中表面粗糙度随时间的变化规律,为背减薄与抛光工艺的优化提供了依据.     

平面型SnO_2微型传感器

所研制的平面型SnO_2微型传感器是用射频溅射制备超微粒SnO_2膜,和常规的硅平面工艺制作加热器和温度检测器,二者相容集成而制作的气敏器件。用AES、ESCA对SnO_2膜进行了分析,结果表明膜中并没有分离的Sn的成分。利用SnO_2膜接触不同气体表面电导会发生变化的特点,对器件进行了气敏特性测试分析。结果表明:SnO_2膜和Pd/SnO_2膜在200℃～300℃工作温度下对CH_4、CO、H_2、NO_2和H_2S等气体均有明显的敏感特性。当SnO_2膜表面掺入几十埃的Pd后,对上述气体