排序方式: 共有6条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1
1.
2.
3.
在玻璃衬底上用射频磁控溅射技术进行了非晶态碲镉汞(α-HgCdTe,α-MCT)薄膜的低温生长.采用X射线衍射(XRD)和原子力显微(AFM)技术对所生长的薄膜进行分析研究,所生长的非晶态HgCdTe薄膜表面平整,没有晶粒出现,获得了射频磁控溅射生长非晶态HgCdTe薄膜的"生长窗口".采用傅里叶红外透射光谱分析技术对非晶态HgCdTe薄膜进行了光学性能研究,在1.0~2.0μm范围内研究了薄膜的透射谱线,获得了薄膜的吸收系数(~8×104cm-1),研究了其光学带隙(约0.83eV)和吸收边附近的3个吸收区域. 相似文献
4.
在玻璃衬底上用射频磁控溅射技术进行了非晶态碲镉汞(α-HgCdTe,α-MCT)薄膜的低温生长.采用X射线衍射(XRD)和原子力显微(AFM)技术对所生长的薄膜进行分析研究,所生长的非晶态HgCdTe薄膜表面平整,没有晶粒出现,获得了射频磁控溅射生长非晶态HgCdTe薄膜的"生长窗口".采用傅里叶红外透射光谱分析技术对非晶态HgCdTe薄膜进行了光学性能研究,在1.0~2.0μm范围内研究了薄膜的透射谱线,获得了薄膜的吸收系数(~8×104cm-1),研究了其光学带隙(约0.83eV)和吸收边附近的3个吸收区域. 相似文献
5.
6.
1