军事电子技术现状与展望

军事电子技术是指在军事系统和装备中使用的电子技术,包括军事电子材料、军用电子元器件、军用软件、军事通信技术等。本文综述目前全球军事电子的发展现状,并指出其发展趋势。     

宽禁带半导体技术最新进展

介绍DARPA宽禁带半导体技术计划第二阶段计划目标及其演示进展情况.     

MIR应用

概述MIR(微功率脉冲雷达)是一种新体制雷达。MIR工作时,利用相当短的超宽带(UWB)脉冲,具有体积小,功耗低,容量大,抗干扰,价格低廉,用途广泛等优点。UWB解决了困扰传统无线技术多年的有关传播方面的重大难题,具有对信道衰落不敏感、发射信号功率谱密度低、被截获的可能性低、系统复杂度低、定位精度高(厘米级)等优点,在军事和民用领域都有广阔的应用前景。UWB具有以下特点:·抗干扰能力强UWB采用跳时扩频信号,系统具有较大的处理增益,在发射时将微弱的无线电脉冲信号分散在宽阔的频带中,输出功率甚至低于普通设备产生的噪声。接收时…     

美国陆军通信带宽需求及能力分析

军事通信在战争中的作用日益重要.随着军事通信需求的不断增长,带宽不足问题愈加突出.如果把1991年海湾战争通信带宽需求设为1,则科索沃战争通信带宽就为2或2.5,2002年阿富汗"持久自由行动"通信带宽为7,2003年"伊拉克自由行动"带宽需求大约为10.在伊拉克战争期间,相对带宽增长甚至更高,"在冲突高峰,美国国防信息系统局向该战区提供的卫星通信带宽为3Gbps,是海湾战争时的30倍."     

顶点双稳显示技术

顶点双稳显示(ZenithalBistableDisplay,简称ZBD)技术的最大特点是零功耗显示,它是唯一能够同有源阵列LCD竞争的无源寻址技术。ZBD技术能提供与有源阵列LCD同样的性能及图像质量,但功耗更低,且成本节约一半。实际上,ZBD显示器内部结构有点类似全息衍射光栅,它拥有与内部面板垂直或平行的液晶分子。这些液晶分子处于黑或白两个稳定的方向之一,通过极化的电压脉冲可以实现两个状态之间的转换。这种双稳状态不受热量或压力的影响,而且一旦确定,状态就将保持下去,即使电源关掉也不受影响。2003年,ZBD显示公司与Varitronix公司签署合作…     

FED发展概述

本文介绍了场致发射显示器的原理和特 及美国，日本等国ＦＥＤ的生产和研制进展情况。     

MIR应用

概述 MIR(微功率脉冲雷达)是一种新体制雷达.MIR工作时,利用相当短的超宽带(UWB)脉冲,具有体积小,功耗低,容量大,抗干扰,价格低廉,用途广泛等优点.     

宽禁带半导体技术

概述根据半导体材料禁带宽度的不同,可分为宽禁带半导体材料与窄禁带半导体材料。若禁带宽度Eg<2ev(电子伏特),则称为窄禁带半导体,如锗(Ge)、硅(Si)、砷化镓(G a A s)以及磷化铟(I n P);若禁带宽度E g>2.0￣6.0ev,则称为宽禁带半导体,如碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、4H碳化硅(4H-SiC)、6H碳化硅(6H-SiC)、氮化铝(AlN)以及氮化镓铝(ALGaN)等。宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、击穿电场强度高、饱和电子漂移速度高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强以及良好的化学稳定性等特点,非常适合于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成…