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1.
在文献[1]所报导的工作中,已从实验上得出,当激光辐射作用于金属-电介质界面时(与等效的局部加热条件下相同的反应过程相比),一系列电化学过程的速度将增大20~30倍。该作者认为,反应过程速度的提高是由于在电极表面上被非均匀加热的电介质的对流作用所致。我们认为,在文献[1]中反应过程的加速决定于电介质中离子选择性地吸收激光辐射后所形成的热扩散过程。这种机理的作用将在本文中阐述。 相似文献
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给出了在连续CO2激光辐射作用下,单向氨氧化反应的实验研究结果。观察到穿过盛有混合物的样品池后激光辐射功率的自振现象。研究了包括NO2、HNO2、HNO3在内的反应中间产物。从实验上演出了由空气和水蒸汽合成NH3及其它化合物的可能性 相似文献
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到目前为止,在260种激光基质晶体中[1],压电晶体仅有4种。之所以如此少的原因是存在着一系列的基本困难,其中,主要是熔炼炉的结构和激活问题,特别是三价稀土族离子(TR3+)的激活问题。尽管如此,激光压电晶体仍然在解决固体物理、量子电子学和声学中一系列很有价值的问题方面引起人们极大的兴趣。 相似文献
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本文描述了一种对10.6微米波长可在0.4到10千瓦量程内连续测量激光辐射功率的流动水冷式功率计。计算了冷却圓锥接收器的温度场,并确定了仪器能承受激光辐射的极限功率密度(16兆瓦/米2)。 相似文献
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用电子计算机分析了分光光度法(干涉法)测定非吸收基底上的薄膜的折射率、吸收率和厚度的可能误差。所得的结果给出了确定的应用范围,并阐明在实际科学实验中每一种研究方法最适用的范围。 相似文献
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用改变激光器谐振腔光学长度的方法控制激光频率时,通常采用压电陶瓷作为改变反射镜位移的元件。将反射镜和压电陶瓷元件一并固定在调整架上。调整架通常装有弹簧和其它配件,它们和光量子振荡器组件之间不是刚性联结。这种装置的主要缺点是调整架的单个部件存在的频率远小于压电陶瓷元件本身的最低共振频率的机械共振。 相似文献
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本文是我们对分布反馈InGaAsP/InP半导体激光器研究的继续。分布反馈激光器必要的结构是波导层中有光学周期非均匀性(衍射光栅)。在文献[1]中研究的分布反馈激光器,其光学周期的非均匀性是由于波导表面上的皱纹引起的。文献[2,3,5]报导了用相干激光淬火形成光学周期非均匀性而获得分布反馈的异质结激光器的研究实验结果。文献[4]演示了制备动态衍射光栅来控制分布反馈的半导体激光器的可能性。 相似文献