LCoS微显示驱动芯片表面形貌研究与改进

介绍了LCoS技术的特点与发展现状,LCoS性能的优劣与硅基片平整度有直接关系,着重进行了LCoS微显示驱动技术表面形貌的研究与改进.通过严格控制工艺步骤,降低台阶高度;合理设计版图布局,使台阶叠加在隔离像素区域的沟槽中,这样既能实现像素电极区域的局部平坦化,又因为沟槽不作为显示区域,对整体显示效果影响较小.     

场发射示器矩阵寻址高压驱动电路的设计研究

提出了矩阵寻址方式的场发射驱动电路。设计出16级灰度显示的阴极驱动电路以及栅极驱动电路,并对其进行了性能仿真,仿真结果显示驱动电路性能优越。开发出与0.8μm标准CMOS工艺兼容的高压CMOS工艺,有效提高了驱动电路的集成度,并降低了生产成本。成功研制出用于场发射驱动电路输出端的100 V高低压电平转换电路,实验测得空载情况下电路的上升时间和下降时间分别为35,60 ns,能够满足高压驱动电路的频率要求。     

LDMOS器件静电放电失效原理及防护方法

探讨了LDMOS器件在静电放电脉冲作用下的失效现象和机理,阐述了LDMOS器件受到静电放电脉冲冲击后出现的软击穿现象,和由于寄生npn管导通产生的大电流引起器件局部温度过高,导致金属接触孔熔融的器件二次击穿现象.分析对比了不同栅宽、不同LOCOS长度和埋层结构LDMOS器件的静电放电防护性能.证实了带埋层的深漏极注入双RESURF结构LDMOS器件在静电放电防护方面的显著优势.     

薄栅氧化层0.25μm RF PDSOI NMOSFETs电离总剂量辐照效应研究

本文研制了一种与0.1μm SOI CMOS工艺兼容的射频PD SOI NMOSFET,并分析了电离总剂量辐照对四种不同结构射频器件的静态特性和频率特性的影响,分别包括前/背栅阈值、泄漏电流、跨导,输出特性以及交流小信号电流增益和最大有效/稳定增益。实验表明,在室温环境下经过总剂量为1Mrad(Si)的g射线辐照,所有的射频PDSOI NMOSFET的静态和射频特性均表现出明显退化,其中以浮体NMOSFET变化最大。虽然损失了部分驱动电流、开关速度和高频特性,LBBC型体接触结构的射频器件仍表现出优于GBBC和BTS型体接触结构的射频器件的抗电离总剂量辐照的能力。     

PD SOI MOSFET低频噪声研究进展

随着器件尺寸的不断减小,PD SOI器件的低频噪声特性对电路稳定性的影响越来越大.研究了PD SOI器件低频过冲噪声现象,分析了此类器件在发生浮体效应、栅致浮体效应以及前背栅耦合效应时低频过冲噪声的产生机理及影响因素.最后指出,可以通过添加体接触或将PD SOI器件改进为双栅结构,达到有效抑制低频过冲噪声的目的.     

一种评估功率LDMOS散热特性的方法

介绍了一种评估功率LDMOS散热特性的方法。在0.18 μm BCD工艺平台制作了结构相同、叉指数量不同的LDMOS,并进行了TLP测试。通过对物理机理以及I-V曲线进行分析,发现随着叉指数目的不断增加,归一化的寄生电阻趋近定值。基于此,提出了寄生电阻相对变化因子α的概念,用来表征功率LDMOS的散热特性。最后对测试结果进行计算得到,漂移区长度为0.5 μm、叉指宽度为33 μm、总栅宽为14.4 mm时,LDMOS的α为0.631。     

将硅纳米颗粒限域在多壳层空心球:一种提升循环稳定性的有效策略（英文）

单质硅是一种有潜力的高容量锂离子电池负极材料.然而,受限于充放电过程中巨大的体积膨胀,其循环性能并不理想.在这个工作中,我们设计了一种独特的三组分复合负极材料(Si/Cr₂O₃/C),其中Si纳米颗粒被限域在碳包覆的氧化铬多层空心球(MSHSs)中.得益于Cr₂O₃/C基体的体积变化缓冲能力与优异的结构稳定性,将Si纳米颗粒封装在MSHSs中可以有效地提高其电化学性能.合理的结构设计赋予了Si/Cr₂O₃/C三组分复合材料高的可逆容量(在100 mA g^-1的电流密度下,比容量为1351 mA h g^-1)和稳定的循环性能(在500 mA g^-1的电流密度下,循环300次后比容量保持在716 mA h g^-1).这一工作提出了一种多壳层空心结构设计的新思路,以解决硅基负极材料循环性差的瓶颈.     

QVGA硅基液晶微显示

设计了QVGA分辨力硅基液晶(Liquid Crystal on Sihcon)微显示芯片,采用比较器与计数器相结合的D/A转换方式,降低了芯片的功耗和电路的设计难度;设计了QVGA微显示芯片视频驱动系统,以CPLD为核心控制单元搭建了视频显示驱动板,接收计算机输出的VGA显示信号,经过控制单元进行行列变换与时序处理,驱动LCoS微显示芯片显示视频图像,测试结果表明显示芯片像素点灰度响应正确,符合液晶材料要求,能够显示分辨力320x240、帧频60 Hz的动态视频,视频显示响应速度快,显示功能符合设计要求.     

LDMOS热阻的电学法测试与分析

基于结构函数理论,运用电学测试法,提取封装LDMOS导热路径上各层材料的热阻值,以及管壳与恒温平台之间的接触热阻值。对各层热阻进行分析,发现焊料层的热阻远大于理论值,提出了一种减小焊料层热阻的方法。改变管壳与恒温平台的接触情况,分别测出不同接触情况下的热阻值,对比发现接触情况会影响结到壳热阻的大小,提出了减小接触热阻的方法。     

1OOV高压pMOS器件研制

研制出适用于100V高压集成电路的厚栅氧高压pMOS器件.在器件设计过程中利用TCAD软件对器件结构及性能进行了模拟和优化,开发出与0.8μm n阱标准CMOS工艺兼容的高压工艺流程,并试制成功.实验结果表明,该器件关态击穿电压为-158V,栅压-100V时饱和驱动电流达17mA(W/L=100μm/2μm),可以在100V高压下安全工作.