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真空紫外光直接光CVD法低温生长SiO_2薄膜及其性质 总被引:5,自引:0,他引:5
使用真空紫外(VUV)光直接光CVD工艺,在低温(50-150℃)下成功地淀积出了优质的SiO2薄膜.测试结果表明:淀积膜的红外吸收峰与高温热生长膜的相符合;氧和硅原子的组分非常接近化学计量比;光折射率在1.42-1.55之间;介电常数大于3.6;击穿电场强度在1e7V/cm的量级;用氯氟酸腐蚀液(参考配方:HF:H2O=1:12)测得膜的平均腐蚀速率约为1.27um/s.试用表明,当使用本实验工艺于硅器件的表面钝化、涂覆及层间隔离,替代PECVD和热CVD工艺时,器件的击穿特性和反向漏电流均明显地改 相似文献
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