乒乓式转子一点接地保护的原理改进方案

论述了乒乓式转子一点接地保护的原理改进方案。通过叠加辅助的直流电源,消除了该保护在发电机停机或无励磁空转状态不能检测发电机转子绕组接地故障的缺憾     

乒乓式转子一点接地保护的改进方案

论述了乒乓式转子一点接地保护的原理改进方案,通过叠加辅助的直流电源,消除了该保护在发电机停机或无励磁空转状态不能检测发电机转子绕组接地故障的缺憾。     

TSV立体集成用Cu/Sn键合工艺

为实现硅通孔(TSV)立体集成多层芯片可靠堆叠,对一种具备低温键合且不可逆特点的Cu/Sn等温凝固键合技术进行了研究。基于Cu/Sn系二元合金平衡相图,分析了金属层间低温扩散反应机理,设计了微凸点键合结构并开展了键合工艺实验。通过优化键合工艺参数,获取了性能稳定的金属间化合物(IMC)层,且剪切力键合强度值达到了国家标准,具备良好的热、机械特性。将其应用到多芯片逐层键合工艺实验当中,成功获取了4层堆叠样品,验证了Cu/Sn等温凝固键合技术在TSV立体集成中的应用潜力。     

ZZJC─2型微机式自动检测装置的研究

本文论述了徽机式自动检浏装笠的原理, 装豆用来对保护继电器的动作时问进行在线或离线检浏。当浏定值超过该被浏保护继电器整定值的士发出报誉信号。可定期自动或随时手动检查保护继电器的运行情况, 提高了保护性     

一种考虑MOS效应及频变特性的类传输线型锥形TSV通孔电学模型

为准确描述锥形TSV通孔寄生电阻、电容、电感高频下MOS效应及其频变特性,本文首先推导出了锥形TSV通孔压控MOS电容的解析模型。其次基于修正后的双传输线寄生参数提取公式对锥形TSV通孔内寄生参数进行了提取。最终建立了一种考虑MOS效应及频变特性的类传输线型锥形TSV通孔电学模型。通过仿真工具验证模型精度,结果显示：在100GHz频带内模型与仿真结果吻合度较高,可以准确描述高频下锥形TSV通孔内寄生参数的半导体物理特性及频变特性,可用来预测锥形TSV通孔的电学特性,对优化三维集成电路电学性能有一定指导意义。