场发射显示器件中真空获得和维持工艺的改进

真空的获得和维持是目前FED研究工作中存在的主要困难之一。本文研究了在现有的传统封接排气以及消气工艺的实验条件下 ,进行了多种工艺改进 :设计了一种新型的三层FED器件结构 ,在这种结构中 ,实现了蒸散型消气剂和非蒸散型消气剂的共同使用 ;并采用了气体保护 ,以及电子轰击去气等有效措施 ,实现了FED器件内部持久的高真空度 ,为FED阴极高稳定、长寿命工作提供了有力的保障     

场发射显示器支撑墙机械强度的计算与分析

计算了几种不同材料支撑墙在不同承压和允许倾斜角度范围内的应力和形变分布。计算结果表明 ,采用热压氮化硅或氧化锆陶瓷制作的支撑墙具有足够高的机械强度 ,是支撑墙材料的较好选择。     

用于大面积显示的低成本纳米管场发射显示器

我们验证了一个显示视频图像的阴极阵列,它基于6in对角线、QVGA分辨率的碳纳米管,采用了简单的低成本器件结构。该纳米管是利用选择性化学汽相沉积法生长在特定位置上的,对净化阴极具有良好的可控性。该器件结构只需要三个低分辩率的掩膜工序,开关电压为50V。此外,我们的器件设计为较长的显示寿命创造了条件。在一个较小的全熔接密封的试验显示器上,我们已经记录了超过3000小时的寿命,而电流仅下降了20%。     

微细加工中的自动套准技术

对微细加工工艺中常用的三种套准方法做了详细的分析比较，并着重分析了最近发展起来的利用图像间的相关性实现套准的相关法，它能达到较高的套准精度，并具有一些独到的特点。     

聚焦离子束系统中图形发生及自动套准系统的研究

本文描述了一种用于聚焦离子束系统的图形发生器和自动套准系统的研究和实现，并探讨了发展和改进的方向。该系统采用硬件实现扫描控制和坐标变换。在我们的实验条件下，实现了单场扫描２秒钟，套准计算４秒钟，该系统同样也适用于电子束曝光机系统 。     

用电子束激发测量高阻半导体材料的漂移迁移率

本文概述了高阻低迁移率薄膜半导体材料漂移迁移率的测量原理以及实现该参数测量的具体方法。测量方法的特殊性是由材料的高电阻率和低迁移率性质所决定的。所获得的结果说明了方法的可行性。最后讨论了进一步改进测试方法的方向。     

场发射显示器的发展近况

概述场发射射显示器９０年代中期的发展状况。分析障碍ＦＥＤ商品化进程的原因。并对国外场发射体阵列的研究方向作了简要的介绍。