控制性详细规划与土地有偿使用

控制性详细规划与土地有偿使用杜立群土地的一级开发和有偿使用是我国迈向市场经济的重要标志。土地开发的一级市场应由政府牢牢地掌握，土地使用权的有偿转让也应在政府的有力监管下实行。这样才能使政府从土地中得到其应有的收益，以利于更好的造福于大众。控制性详细规...     

城市地理编码:科学与理性城市规划的基石

城市地理编码可在同一地理框架里反映多层次的社会经济信息,为实现城市信息共享、交换和整合提供技术支撑.其以街坊为最小空间单元进行城市各类信息资源的调查、整理、汇总,可为不同层次的城市规划编制和研究提供科学、准确、详细的历史和现状信息,使规划编制过程有据可依,并提高编制成果的科学性,是科学与理性城市规划的基石.     

基于地理编码的北京市城乡规划信息资源整合研究

城市地理编码是“数字城市”空间信息基础设施的重要内容,是实现城市信息共享与交换的支撑技术。北京市地理编码标准制定工作通过确定空间定位参考体系和空间单元,采用空间解析、空间关联及空间参照的实施方法,实现地理编码在城市规划信息资源整合中的应用,为城多规划信息资源共享带来契机。     

在金属基底上制作高深宽比金属微光栅的方法

根据光学领域对高深宽比金属微器件的需求,利用UV-LIGA工艺在金属基底上制作了具有高深宽比的金属微光栅。采用分层曝光、一次显影的方法制作了微电铸用SU-8胶厚胶胶模,解决了高深宽比厚胶胶模制作困难的问题。由于电铸时间长易导致铸层缺陷,故采取分次电铸等措施得到了电铸光栅结构;同时通过线宽补偿的方法解决了溶胀引起的线宽变小问题。在去胶工序中,采用"超声-浸泡-超声"循环往复的方法。最终,制作了周期为130μm、凸台长宽高为900μm×65μm×243μm的金属微光栅,其深宽比达到5,尺寸相对误差小于1%,表面粗糙度小于6.17nm。本文提出的工艺方法克服了现有方法制作金属微光栅时高度有限、基底易碎等局限性,为在金属基底上制作高深宽比金属微光栅提供了一种可行的工艺参考方案。     

微流控芯片基片与盖片一体化注塑成型研究

针对微流控芯片基片与盖片的结构特点,提出了定模先行抽芯机构,设计制造了微流控芯片基片与盖片一体化注塑成型模具,并进行注塑成型试验研究.结果表明:定模先行抽芯机构可以有效解决盖片上圆孔状储液池成型与脱模的技术难题,如何使微通道复制完全是微流控芯片基片注塑成型的主要技术难点;模具温度对提高微通道复制度起决定性作用,注射速度和熔体温度是次要因素,而注射压力相对其他因素影响力较差,但必须保持在一个较高的水平,依此形成塑料微流控芯片的注塑成型工艺规范.     

大麦及其发芽过程中热稳定性蛋白的研究

大麦热稳定性蛋白对啤酒的口感风味、泡沫及胶体稳定性等品质起着主要的作用,利用Bradford法和SDS-PAGE电泳技术对大麦及其发芽过程中的热稳定性蛋白组成进行了分析和比较.结果显示,大麦发芽过程中部分热稳定性蛋白条带逐渐消失,热稳定性醇溶蛋白在发芽过程中遭受蛋白水解其含量最终有所减少,热稳定性水溶蛋白在发芽过程结束时其蛋白含量有所增加.从而根据大麦或麦芽中的热稳定蛋白组成及其含量预测啤酒中的蛋白组成,以便改进制麦和酿造技术,获得高质量的麦芽和啤酒.     

微机电系统中SU-8厚光刻胶的内应力研究

在对基片曲率法常用的Stoney公式进行必要修正的基础上,提出了适合计算SU-8胶层内应力的理论模型,并采用轮廓法直观地测量了内应力引起的基底曲率的变化.通过ANSYS仿真揭示了基片直径,胶层厚度及后烘温度三者对基片曲率的影响.仿真结果表明:后烘温度是影响胶层内应力的主要因素.实验测量了后烘温度分别为55℃、70℃和85℃三种条件下的SU-8胶层的内应力.结果表明:降低后烘温度能有效地减小SU-8胶层的内应力,实验测量值与仿真计算值基本吻合.内应力的测量为SU-8胶层内应力的定量研究奠定了基础.     

以品质提升为导向的北京城市副中心控规编制

规划建设北京城市副中心是以习近平同志为核心的党中央作出的重大决策部署,是疏解北京非首都功能、推动京津冀协同发展的历史性工程。本文结合北京城市副中心的规划历程,介绍了北京城市副中心控制性详细规划在构建城市空间秩序、以人为本服务居民需求以及提高城市协同性等方面的工作,并通过加强城市设计工作,加深城市设计与控制性详细规划的融合,提高城市整体品质,实现城市更高质量的发展、人民更美好的生活。     

什刹海历史文化风景游览区保护整治与开发规划

<正> 什刹海历史文化风景游览区是北京旧城北中轴上重要文物古迹历史地段,历来是民间活动和风景游览中心。规划在继承传统特色基础上加以发展,使之适应首都两个文明建设的需要。在规划实施上与西     

单晶硅各向异性腐蚀的微观动态模拟

根据单晶硅各向异性腐蚀的特点,以晶格内部原子键密度为主要因素,温度、腐蚀液浓度等环境因素为校正因子,建立了一个新颖的硅各向异性腐蚀的计算机模拟模型。在VC++开发环境下利用OpenGL技术,实现了硅各向异性腐蚀过程的三维微观动态模拟,为深刻理解硅的各向异性腐蚀过程提供了直观的界面。