一种新的KLEED/CMTA方法(Ⅲ)——适用于由不同种原子构成的表面

本文在运动学低能电子衍射(KLBED)计算方法中引入了一个平均复原子散射因子,以期使这种KLEED方法能用于由不同种原子构成的表面,而且还能大大节省计算时间.我们在多种表面上用动力学低能电子衍射(DLEED)计算对它进行了检验,结果表明这种新的KLEED计算方法和 LEED实验强度的 CMTA平均方法相结合是一种十分简单、有效的表面结构分析方法.这一方法已被成功地应用于Si(111)3~(1/2)× 3~(1/2)-Ag 表面结构研究.     

纳米结构可重入扫描隧道显微镜系统的研制

本文简介我们最近研制成功的超高真空（ＵＨＶ）扫描隧道显微镜（ＳＴＭ）系统。该系统由于同时安装有扫描电子显微镜（ＳＥＭ），可以使ＳＴＭ的针尖在ＳＥＭ的引导下移到样品表面上任一感兴趣的地方去研究那时的纳米细节，从而使它的ＳＴＭ具有纳米结构可重入性。该系统还有一些特有的样品制备功能，可用于许多有价值的研究 。     

重审运动学低能电子衍射方法和Si(001)2×1结构

本文通过将KLEED/OED方法应用于重构很深,很复杂的表面结构Si(001)2×1 的许多结构模型,探讨了此方法在解决复杂表面结构上的潜力.得出的结论是肯定的.     

Pb/Si(001)系统界面反应的ELS研究

用可调探测深度电子能量损失谱(TRLS)及俄歇电子谱(AES)研究 Pb/Si(001)系统界面反应.结果表明:在室温下,Pb与Si发生相互作用、强烈互混,形成界面相,其厚度约(15±3)A,同时此相有确定的Pb/Si原子比,其根据是这个相有能量确定的、峰宽很窄的体等离激元峰,此峰能量为10.7eV,峰宽与Si的体等离激元峰相似.互混发生在氧污染很小的条件下,仅0.6ML 的氧就足以阻止互混的发生,形成陡变的无相互作用的 Pb/Si 界面.     

Si(111)7×7表面结构的运动学低能电子衍射及数据平均方法的研究

本文用运动学低能电子衍射(KLEED)及数据平均方法(CMTA)对Si(111)7×7表面结构进行了研究。经过对DAS和DACS模型的彻底优化,我们得到了和实验最相符合的DAS模型,并给出了该表面前五层原子的全部结构参数。     

锗硅表面结构和动态过程的STM研究

本文综述了我们利用扫描隧道显微镜和低能电子衍射对锗硅表面结构和动态过程进行了系统化和比较性的研究。研究结果除了具有重要的基础意义外，对半导体异上延生长衬底选择以及量子线和量子点自组织生长模板的选择都有指导意义。     

Si(111)3~(1/2)×3~(1/2)R30°-Ag表面结构的运动学低能电子衍射及数据平均方法的研究

本文用运动学低能电子衍射(KLEED)及数据平均方法(CMTA)对Si(111)3~(1/2)× 3~(1/2)R30°-Ag表面结构进行了研究,经过彻底的优化,我们得到了和实验最相符合的模型。该表面最上层由Ag原子组成,它们排成“链式的蜂窝状三聚体”(honeycomb-chained-trimer)结构,在它们以下0.79A处是每个表面原胞中有三个Si原子的Si层,接下来的是形变很大的体状的Si双层。我们的分析还表明该表面存在深弛豫,这是该表面一个尚未被报道的重要特征。