CMOS单片集成恒带宽放大模块

基于电流模式信号处理技术和电流跟随器、CMOSAB类放大器、反相电流镜等理论模型，并有赖于特别的版图设计与一系列先进的3μm硅栅CMOS单片化集成技术，已经获得了一种具有300kHz～1MHz恒带宽、0～20dB可调增益、5．6mW功耗的新型集成模块，该功能块突破了放大器增益带宽积为常数的传统约束，并可用于系统集成、生物电子学、智能功率集成电路（SPIC）与模拟信息处理诸电子学领域．     

全电流模型的比例差分特性

用比例差分算符(PDO)方法研究了长沟MOSFET在各个工作区域(亚阈区和饱和区)的比例差分特性．利用PDO方法研究全电流Pao-Sah双积分模型,结果发现源漏电流的比例差分特性在所有的工作区域内都有谱峰特性,其峰值和峰位与MOSFET的电学参数(如有效迁移率、热电势和阈值电压等)直接相关．利用PDO方法可以避免冗繁地计算双积分公式,并可以容易地提取出重要的MOSFET电学参数．     

关态应力下 P- MOSFETs的退化

研究了沟长从 0 .5 2 5 μm到 1.0 2 5 μm9nm厚的 P- MOSFETs在关态应力 ( Vgs=0 ,Vds<0 )下的热载流子效应 .讨论了开态和关态应力 .结果发现由于在漏端附近存在电荷注入 ,关态漏电流在较高的应力后会减小 .但是低场应力后关态漏电流会增加 ,这是由于新生界面态的作用 .结果还发现开态饱和电流和阈值电压在关态应力后变化很明显 ,这是由于栅漏交叠处的电荷注入和应力产生的界面态的影响 .Idsat的退化可以用函数栅电流 ( Ig)乘以注入的栅氧化层电荷数 ( Qinj)的幂函数表达 .最后给出了基于 Idsat退化的寿命预测模型     

关态应力下P-MOSFETs的退化

研究了沟长从0.525μm到1.025μm 9nm厚的P-MOSFETs在关态应力(Vgs＝0,Vds＜0)下的热载流子效应．讨论了开态和关态应力．结果发现由于在漏端附近存在电荷注入,关态漏电流在较高的应力后会减小．但是低场应力后关态漏电流会增加,这是由于新生界面态的作用．结果还发现开态饱和电流和阈值电压在关态应力后变化很明显,这是由于栅漏交叠处的电荷注入和应力产生的界面态的影响．Idsat的退化可以用函数栅电流（Iｇ）乘以注入的栅氧化层电荷数（Qinj）的幂函数表达．最后给出了基于Idsat退化的寿命预测模型．     

全电流模型的比例差分特性

用比例差分算符 (PDO)方法研究了长沟 MOSFET在各个工作区域 (亚阈区和饱和区 )的比例差分特性 .利用 PDO方法研究全电流 Pao- Sah双积分模型 ,结果发现源漏电流的比例差分特性在所有的工作区域内都有谱峰特性 ,其峰值和峰位与 MOSFET的电学参数 (如有效迁移率、热电势和阈值电压等 )直接相关 .利用 PDO方法可以避免冗繁地计算双积分公式 ,并可以容易地提取出重要的 MOSFET电学参数     

真空微电子三极管与四极管的模拟计算

对真空微电子三极管、四极管进行了计算机模拟。模拟结果显示了发射电流与场致增强因于依赖表面的尖端半径、尖端高度等几何因素,并对微四极管的特性进行了分析。最后将微电子三极管与实验结果进行了比较,得到若干实用的结论。