半导体衬底上薄膜折射率的测量

本文用已知折射率的折射液体与半导体衬底上薄膜折射率相匹配的方法测得锗上等离子体阳极氧化膜的折射率为1.66,硅上氧等离子体氧化膜及热氧化SiO_2膜的折射率均为1.458。与激光椭偏仪的测量结果符合得很好。本文还用TP—83型椭偏仪的通用程序B算出砷化镓上等离子体氧化膜的折射率为1.80～1.90。