TFT-AMLCD绝缘层a-SiNx∶H的制备

用等离子体化学气相沉积法(PECVD)在玻璃基板上淀积了厚度约1μm的非晶氮化硅(a-SiNx∶H)薄膜,在最佳工艺下得到薄膜的性能参数,折射率为1.8左右,光吸收系数为1.2×102～2×102cm-1,相对介电常数为7～8.4,电荷面密度为2.5×1012～3.1×1012cm-2.这种薄膜比较适合于用作薄膜晶体管-有源矩阵液晶显示器(TFT-AMLCD)的栅绝缘层.     

LCD电极显露的量化、分析与克服

通过提出参量K和重建LCD光路模型来量化和分析液晶显示屏的电极显露 ,成功地解释了有关现象 ,提出相应的解决方法 ,并已获得验证     

真空蒸发制备高质量ITO薄膜的化学过程

用真空热蒸发法在硼硅玻璃基片上获得了高质量的ITO透明导电膜(R□=6.2Ω/□,T=90%,ρ=7.13×10~(-5)Ωcm)。用ESCA对ITO薄膜的致黑因素进行了研究,发现化学计量比偏移是造成透过率降低的主要原因之一。提出了一个新的化学蒸发模型,认为氧化反应不但发生在基片上,也发生在蒸发源的表面附近。源的表面温度控制着化学平衡In_2O(g)+O_2(g)(?)In_2O_3(g)的移动,从而影响蒸发源区的氧化与分解过程,进而决定了薄膜的化学计量比偏移。该模型能很好地解释实验中的现象并与实验结果相吻合。     

YAG单晶刻面发光屏的研究

开发了用于投影显示的Lu3 ,Ga3 双掺杂的Ce,Tb∶YAG单晶绿色发光屏 ,但这种发光屏的外发光效率相对较低。一种截顶圆锥结构可以大大提高出射光通量 ,理想状况下可使外发光效率达到原来的 5 2倍。在详细分析了这种理想发光模型之后 ,采用晶体的各向异性腐蚀工艺形成了具有近似这种结构的网状刻面屏 ,外发光效率提高到原来的 2 3倍。     

有源矩阵液晶显示器的缺陷检测

分析了ＶＧＡ有源矩阵液晶显示器的缺陷分类、生产原因。研制出了有源矩阵液晶显示器的断路测试板、短路测试板以及全板显示则试板。