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研究了冗余技术电编程电路中的多晶硅电阻熔丝的电编程特性!分析了多晶硅熔丝的编程机理和电流一电压特性。发现电阻率在0.60～1.10×10~(-3Ω·cm范围的多晶硅熔丝熔断时存在一个临界电流密度,它与熔丝的几何尺寸和室温电阻率无关,是一个约为32mA/μm~2的常数;临界电场是随熔丝室温电阻率增加的,平均熔断功率密度也与熔丝自身的电阻率相关。认为掺杂剂提供的载流子对熔丝的熔化起着重要的作用。 相似文献
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对砷离子注入的轻掺杂多晶硅进行了系统的实验,研究了高阻多晶硅电学特性与薄膜淀积温度,注入剂量,退火温度,退火时间和热处理周期等处理条件的关系。结果表明淀积系统的温度梯度分布使薄膜的电参数均匀性差;高阻多晶硅的电阻率对注入剂量的变化十分敏感,高温下长时间退火将使电阻率增加;轻掺杂多晶硅中的“杂质分凝”是不可逆的。高值电阻电参数调整实验也取得了较好的结果。这项工作揭示了高阻多晶硅一些未见指道过的重要性质,我们提出的晶界中的氧俘获态模型成功地解释了这些现象。 相似文献
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