InGaAsP/InP双异质结发光管I-V特性的研究

本文研究了InGaAsP/InP双异质结发光管的I-V特性,特别是有源区受主浓度、p-n结位置、限制层掺杂剂、热沉温度和制备工艺对正向导通电压(V_f)、初始发光电压V_0和反向击穿电压V_B的影响,及其与光功率、光谱特性的关系。并讨论了产生不同I-V特性的原因。     

大面积锗光电接收器的特性测量

本文介绍了大面积锗光电接收器的光谱响应、量子效率、频率特性和I-V特性的测量方法。在波长为1.3m处,响应度为0.47 A/W,量子效率为45％,频率响应为100kHz。在反向偏压为 5V,温度为12℃时,反向漏电流(以电流密度表示)为 2310-6A/cm2(直径为 7.5mm)。在1060℃变温范围内,测定了接收器的I-V温度特性和暗电流与温度的关系。最后对测试系统和实验现象进行了初步讨论。     

掺硅的GaAs体单晶的补偿比及载流子浓度的分布

采用红外吸收法测定熔体生长掺硅的GaAs单晶的补偿比。实验结果表明:当2×10~172×10~18/厘米~3,θ分别随n的减少或增加而增加。 从施主、受主浓度的分布是同步的,以及沿锭长分布符合定向凝固的杂质分凝规律,提出与杂质硅有关的Si_(As)和Si_(Ga)·V_(Ga)为主要补偿受主,并讨论了Si的掺杂行为。 垂直于晶体生长方向的试样的n,N_D和N_A的分布特征,表明N_A似乎是影响均匀性的主要缺陷。根据实验结果,简要地讨论改进均匀性和减小补偿比的一些措施。     

光吸收法检测Ga_xIn_(1-x)As_yP_(1-y)/InP双异质结液相外延片的室温禁带宽度

用双光束分光光度计测定了Ga_xIn_(1-x)As_yP_(1-y)/InP双异质结外延片中四元层的禁带宽度。并和制得的发光管发射波长及计算值进行比较。部分样品用电子探针阴极萤光法对照。说明光吸收法简便、迅速、可靠。可对液相外延质量提供一定的评价。