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气体离子注入技术在很多领域里获得了广泛的应用 ,取得了明显的经济效益和技术成果。它在半导体集成电路技术中已成为核心技术。金属离子注入技术是一项新技术 ,1 985年美国布朗教授发表了他的成果——强脉冲金属离子源 ,并研制成功了小型离子注入设备。这使得金属离子注入技术研究推进到一个新阶段。研究的结果表明 ,金属离子注入比气体离子注入有着更加广泛的使用价值和发展前景。因此国内很重视此项技术。我所根据航天设备对膜层的特殊要求 ,从 1 995年起对金属离子注入及成膜技术进行专门的研究 ,现已取得明显的成效。1 金属离子注入技… 相似文献
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