利用电阻场板提高SOI-LIGBT的性能

通过在SOI-LIGBT中引入电阻场板和一个p-MOSFET结构,IGBT的性能得以大幅提高.p-MOSFET的栅信号由电阻场板分压得到.在IGBT关断过程中,p-MOSFET将被开启,作为阳极短路结构起作用,从而使漂移区的过剩载流子迅速消失,IGBT快速关断.而且由于电场受到电阻场板的影响,使得过剩载流子能沿着一个更宽的通道流过漂移区,几乎消去了普通SOI-LIGBT由于衬偏造成的关断的第二阶段.这两个因素使得新结构的关断时间大大减少.在IGBT的开启状态,由于p-MOSFET不导通,因此器件的开启特性几乎与普通器件一致.模拟结果表明,新结构至少能增加25%的耐压,减少65%的关断时间.     

抗蓝牙干扰“北斗”射频芯片的设计

为解决蓝牙设备对"北斗"卫星无线测定服务(RDSS)的干扰问题,设计了一款"北斗"射频芯片并流片,重点从系统架构、高线性模块电路设计两个方面实现。实测结果表明,该芯片在蓝牙环境下能够很好工作,整机性能不会下降。该芯片的推出将解决长期困扰RDSS接收机的蓝牙干扰以及未来4G移动网络的干扰问题,促进"北斗"的广泛应用。     

具有电阻场板的薄膜SOI-LDMOS的精确解析

介绍了一种对具有电阻场板的薄膜SOI LDMOS的精确解析设计方法.在对电场分析的基础上,提出了新的电离率模型,并求出了电离率积分的准确路径,进而得到击穿电压、漂移区掺杂、漂移区长度与SOI硅层厚度、埋氧层厚度的关系.模拟结果表明,解析与模拟结果具有很好的一致性,而且设计的器件具有击穿电压大、比导通电阻极小的优点.该解析理论为在薄膜SOI材料上制作性能优良的高压功率器件提供了一个很好的参考     

数字电路中电源电压瞬间跌落的研究

本文通过分析数字多输出芯片中电源瞬间跌落的原因,对常规驱动电路结构进行改进.仿真结果表明,改进后,单输出电路的峰值电流降为原来的64%,N输出电路的峰值电流降为原来的0.64/N(不带负载).再通过优化版图的电源布线,能有效防止电源电压跌落,使芯片正常稳定地工作.     

苹果果实超弱发光、乙烯释放和呼吸跃变对1-MCP的响应

以耐贮藏的“红富士”(MalusdomesticaBorkhvar.RedFuji)苹果果实为试材,研究了果实采后衰老过程中超弱发光(Ultra-weakLuminescence,UWL)、乙烯释放和呼吸跃变对1-甲基环丙烯(1-methycyclopropene,1-MCP)的响应。结果显示,自然状态贮藏的果实UWL的变化与呼吸速率、乙烯释放速率的变化趋势相似,均有明显的高峰出现,且出峰时间一致。1-MCP处理后,果实的超弱发光峰明显拖后,但峰值不低于对照。高峰之后UWL值明显高于对照。与此同时,果实软化明显延缓,呼吸与乙烯释放速率下降,乙烯、呼吸跃变高峰也推迟。果实超弱发光能够反映富士苹果采后衰老过程中代谢的变化。     

开环载波抑制设计方法研究

分析了射频发射机中影响载波抑制(CSR)特性的因素,提出相应的解决方法.为验证该设计方法,设计了一款含锁相环频率合成器的射频发射机,并进行流片.实验结果表明,在不进行任何修调和校准的情况下,载波抑制比常温可达到42 dBc,在-40℃～85℃温度范围内达到40～50 dBc,验证了该方法理论分析的正确性以及实现方法的可行性和实用性.     

ZL-Ⅱ污染源自动监视系统在酒精废糟液治理工程中的应用

ＺＬ－Ⅱ型污染源自动监示系统是适应国内目前环境监督管理工作新的需要,最新推出的一种新型环境监理自动监示系统。本系统与有关监控仪器、设备配用,能将水、大气、噪声等各种治理设施的运行情况,如治理设备运行时间、污水排放总量、污水ＣＯＤ含量、加药控制等各种参数集中管理。系统采用内置式挂网通讯的ＭＯＤＥＭ,配备独立的网络管理和通讯软件,将所有监控信息数据记录、显示、打印、现场电脑提取或实时传至网络终端 （环保主营部门主机）,使环境监理人员通过系统自动、连续、准确、适时掌握各类企业环境治理设施运行状况。１系…     

一种具有变深槽电容的横向功率p-MOSFET

提出了一种含介质深槽的横向p沟道功率MOSFET(p-MOSFET)。深槽内填充了线性组合的高介电常数(high-k)介质和二氧化硅,以调变寄生的深槽电容(CDT),使CDT充电电荷增大且使该充电电荷沿纵向接近均匀分布。在深槽一侧,通过提高p型漂移区剂量来提供负极板充电电荷,在深槽另一侧,通过增设n型区来提供正极板充电电荷。两侧漂移区的电荷补偿效应均得到增强,器件性能获得提高。仿真结果表明,当击穿电压VB为450 V时,器件的比导通电阻RON,SP为9.5 mΩ·cm²,优值达21.3 MW/cm²,优值为现有器件的2.7倍。该项研究成果为功率集成电路提供了更优的器件选择。     

一种新型的荧光灯电子镇流器用振荡电路的简易实现方法

本文针对预热式荧光灯，提出了一种应用于电子镇流器的可以实现荧光灯工作需要的频率变化曲线的CMOS方波发生器电路。该电路用于电子镇流器的智能功率集成电路中的控制部分，不仅完成了荧光灯在预热、启动及正常发光各阶段的频率要求，而且具有结构简单、外接元件少、成本低、频率可调控等优点。利用本文提出的方法也容易推广到其它需要电源频率随时间变化的场合。     

一种基于二次项逼近的DDS算法及其实现

阐述了直接数字合成器(DDS)的基本原理,分析了现有DDS算法的优缺点,设计出基于二次项逼近的DDS算法,并给出该算法的电路实现。最后通过该算法的仿真分析表明,该算法实现的DDS其无杂散动态范围(SFDR)高达-105 dBc,且占用较少的资源,满足雷达、信号源等系统对高性能、低功耗的设计要求。