排序方式: 共有4条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1
1.
在Si(111)基底上利用直流磁控溅射系统沉积氮化铝(AlN)薄膜,X-射线衍射分析薄膜结构和取向,原子力显微镜分析薄膜表面形貌,X-射线光电子能谱分析薄膜的元素化学价态和组分。结果表明,生长的AlN薄膜具有良好的(100)择优取向,其半峰宽为0.3°。薄膜表面粗糙度为0.23 nm,表面均方根粗糙度为0.30 nm,z轴方向最高突起约3.25 nm。薄膜表面组分为Al、N、O、C元素,其中C、O主要以物理吸附方式存在于薄膜表面,而Al、N元素的存在方式主要是Al—N化合物,深度剥蚀分析表明获得的AlN薄膜接近其化学计量比。 相似文献
2.
氮化铝薄膜的光学性质 总被引:2,自引:0,他引:2
采用直流磁控溅射法在石英衬底上制备了氮化铝(AlN)薄膜.用X射线衍射仪分析了薄膜结构.利用椭圆偏振仪和紫外/可见/近红外分光光度计对AIN薄膜进行了相关光学性能的研究,获得到了薄膜的折射率随波长的色散关系曲线.在波长为250~1 000 nm,薄膜的折射率为1.87~2.20.结合透射光谱图,分析了AIN薄膜的光学性质.结果表明:利用磁控溅射方法可以获得(100)择优取向AIN薄膜;AIN薄膜在200~300 nm远紫外光范围内具有强烈的吸收,在300~1000 nm波长范围内具有良好的透过率.透射光谱图计算得到的薄膜厚度(427nm)与椭圆偏振拟合得到的薄膜厚度(425nm)一致. 相似文献
3.
4.
1