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通过对银行建筑功能构成、流线进行分析 ,使银行界人士和设计人员对银行的功能、流线有充分的认识 ,以便设计出功能齐全、风格独特、造型优美的一流银行建筑 ,满足新型商业银行的运营要求 相似文献
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催化裂化油浆开发橡胶软化剂实验性研究 总被引:3,自引:0,他引:3
催化裂化油浆富含重芳烃 ,经糠醛精制后 ,抽出油可用于生产重芳烃橡胶软化剂 ,该产品性质符合橡胶软化剂JSBR -1712规格要求 ,同时 ,抽余油可作为催化裂化原料回炼 ,此工艺是进一步提高催化裂化装置的综合效益的一个有效途径 相似文献
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As the tuning frequency of an integrated LC-voltage controlled oscillator (LC-VCO) increases, it is difficult to co-design the active negative resistance core and the varactor to achieve wideband frequency range, low phase noise, constant bandwidth and small tuning gain together. The presented VCO solves the problem by designing a set of changeable varactor units. The whole VCO was implemented in a 0.18μm CMOS process. The measured result shows -120 dBc/Hz phase noise at 1 MHz offset. The measured tuning range is from 4.2 to 5 GHz and the tuning gain is 8-10 MHz/V. The VCO draws 4 mA from a 1.5 V supply voltage. 相似文献
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消除进水口前旋涡漏斗的一个方法 总被引:2,自引:0,他引:2
在进行某水库整体水工模型试验时,观察到导流兼泄洪隧洞的进水口前,在水位一定范围内有较强的旋涡漏斗发生.水位恰好是导流水位,进气旋涡的存在将对施工导流带来各种不利的影响,因此设计单位要求通过试验寻求消除旋涡漏斗的措施. 迄今为止,虽然研究有关旋涡漏斗成因、特性、影响因素的较多(文献[1]),但关于 相似文献
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提出了一种适用于无源超高频射频识别标签的低电压低功耗射频/模拟前端电路.通过引入一个使用亚阈值技术的基准源,电路实现了温度补偿,从而使得系统时钟在~40~100℃的范围内保持稳定.在模块设计中,提出了一些新的电路结构来降低系统功耗,其中包括一种零静态功耗的上电复位电路和一种新的稳压电路.该射频/模拟前端电路采用不带肖特基二极管0.18μm CMOS EEP-ROM工艺流片实现,它与数字基带、EEPROM一起实现了一个完整的标签芯片.测试结果表明,该芯片的最低电源电压要求为0.75V.在该最低电压下,射频/模拟前端电路的总电流为4.6μA. 相似文献
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本文设计了以PLC为控制中心的风冷式干排渣控制系统,该控制系统能实时监控干排渣系统的重要运行参数,实时掌控系统的"健康情况",保证了干排渣系统的稳定运行。 相似文献
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随着电感电容型压控振荡器调谐频率的增加,综合设计其中的负阻单元及可变电容,以同时达到宽调谐范围、低相位噪声、等子频带间距和低调谐增益输出频率的目标正变得越来越困难。本文中的压控振荡器通过设计一组开关可变电容阵列来解决这个问题,我们在0.18 μm CMOS工艺上实现了这个设计,并优化了相位噪声性能。测试表明,1兆赫兹频偏处的相位噪声达到-120dBc/Hz,调谐范围为4.2吉赫兹至5吉赫兹,调谐增益为8-10MHz/V,压控振荡器在1.5伏电源电压下至多消耗4毫安电流。 相似文献
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A phase-locked loop(PLL) frequency synthesizer with a novel phase-switching prescaler and a high-Q LC voltage controlled oscillator(VCO) is presented.The phase-switching prescaler with a novel modulus control mechanism is much more robust on process variations.The Q factor of the inductor,I-MOS capacitors and varactors in the VCO are optimized.The proposed frequency synthesizer was fabricated by SMIC 0.13μm 1P8M MMRF CMOS technology with a chip area of 1150×2500μm~2.When locking at 5 GHz,the current consumption is 15 mA from a supply voltage of 1.2 V and the measured phase noise at a 1 MHz offset is -122.45 dBc/Hz. 相似文献
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