密码技术在智能卡中的应用

在智能卡的应用与推广中,保密机制是十分关键的,而密码技术的引入则能有效的提高智能卡的安全水平。文章介绍了智能卡中常用的几种加密算法,如ＤＥＳ、ＲＳＡ,另外,对密码技术在智能卡中的一些典型应用,如电子签名、信息保护等,也作了概括说明。     

一种高性能16K(2K×8)NMOS-SRAM的设计与分析

本文描述一种性能较好的16K(2K×8)NMOS-SRAM的设计.该电路采用3μmNMOS双层多晶硅工艺进行制作.对它的结构、存贮单元、灵敏读出放大器以及译码电路等进行了分析和优化.用CAD电路模拟的结果与实测十分接近,取数时间为120ns,工作功耗为150mW.     

BiCMOS比较器宏单元

本文描述了两种结构的BiCMOS比较器宏单元的设计和制造.制成的五种比较器均达到了设计要求:静态功耗小于5mW,灵敏度优于5mV,模拟得到最高采样时钟频率为60MHz.(C_L=5pF).在与同类全 CMOS比较器比较中充分显示了 BiCMOS结构的优越性.     

IC卡发展新动向

自IC卡问世以来,由于它安全性高、可靠什强存储量大、便于携带,很快受到人们的青睐。全世界IC卡的销售量在逐年增加,1998年全球销售已达16亿张。据预测,2000年全球市场将达28亿张。中国自1993年金卡工程启动以来,IC卡的发展如雨后春笋。1998年,全国IC卡发行量约为8000万张,其中公用电话卡6000万张左右,其它IC卡约2000万张左右,与1997年同期相比增长达200％。随着全球信息产业的快速增长,世界半导体市场的有力反弹,半导体技术的不断发展,IC卡的发展将更为迅速,表现在以下几个方面：（1）IC卡使用地区不断扩大（2）IC卡应…     

一种用于HMOS-SRAM的触发器高灵敏读出放大器

本文提出了一种新型HMOS-SRAM读出放大器(S/A).它是由一对源跟随器交叉反馈所组成.通过精确控制上下管的尺寸比,使它处于临界触发状态.理论和实验证明,这种电路具有高灵敏度,宽共模范围以及低输出共模电平等优点.试用于SRAM,得到很好的结果.     

NMOS短沟DD结构热载流子效应的研究

本文描述制作和研究有效沟长为1μm的砷-磷双注入NMOS管(简称DD管).用工艺模拟和器件模拟程序计算和优化了工艺.实验结果与模拟结果完全一致,说明在相同有效沟道长度下DD结构比普通NMOS管的热载流子效应小.     

初论非接触IC卡技术

文章介绍了非接触卡技术及其在国内外发展概况。最后介绍了三种典型的非接触卡产品。     

模型参数对双极管差分对延时的影响

本文结合我们所开发的两种ＢｉＣＭＯＳ工艺，讨论了双极管模型参数对双极管差分对的影响．采用电荷控制法，推导得出了双极管差分对的延时公式．该公式物理意义明确直观，能清楚地解释双极管各模型参数、工作条件等因素对双极管差分对延时的影响，并能指导电路设计和工艺制造；最终公式中全部使用ＰＳＰＩＣＥ参数，便于计算；该公式虽然只讨论了三个电容（发射结电容、集电结电容和衬底结电容）、三个电阻（发射极电阻、集电极电阻、基极电阻）、正向渡越时间和正向电流放大倍数八个参数，但其计算结果与ＰＳＰＩＣＥ模拟结果呈现出良好的一致性．     

高速Bicmos技术

本文描述了一种可用于集成系统的高速BiCMOS技术。采用双埋层、双阱和外延结构,应用2μm设计规则,成功地将NPN器件和CMOS器件制作在同一芯片上。得到了满意的单管性能。在大负载条件下,BiCMOS反相器门的速度比普通CMOS反相器门快得多。