对异型硅岛实现的厚膜全耗尽SOIMOSFET的模拟研究

本文提出了用异型硅岛实现的厚膜全耗尽(FD)SOI MOSFET的新结构,并分析了其性能与结构参数的关系.通过在厚膜SOI MOSFET靠近背栅的界面形成一个相反掺杂的硅岛,从而使得厚膜SOI MOSFET变成全耗尽器件.二维模拟显示,通过对异型硅岛的宽度、厚度、掺杂浓度以及在沟道中位置的分析与设计,厚膜SOI MOSFET不仅实现了全耗尽,从而克服了其固有的Kink效应,而且驱动电流也大大增加,器件速度明显提高,同时短沟性能也得到改善.模拟结果证明:优化的异型硅岛应该位于硅膜的底部中央处,整个宽度约为沟道长度的五分之三,厚度大约等于硅膜厚度的一半,掺杂浓度只要高出硅膜的掺杂浓度即可.重要的是,异型硅岛的设计允许其厚度、宽度、掺杂浓度以及位置的较大波动.可以看出,异型硅岛实现的厚膜全耗尽 SOI MOSFET 为厚膜SOI器件提供了一个更广阔的设计空间.     

基于ADV7183B的视频解码系统的设计

利用MSP430F169控制视频解码芯片ADV7183B处理复合视频、S-Video和色差分量的视频输入源,从而输出8 bit/16 bit CCIR656的YCrCb型4:2:2的数字视频数据,再将其进一步进行格式转换、滤波等处理,通过DVI接口显示。     

移动立方体算法的研究和改进

CT三维重建技术是辅助医生对病情进行分析和显示的有效工具,它极大地提高了医疗诊断的准确性。移动立方体法（Marching Cubes,MC）是一种经典的医学图像三维重建算法,但是在实际使用中还是存在着一些缺点。针对传统MC算法出现的两个问题：（1）用直线代替双曲线来构造等值面会产生误差;（2）重建过程中大量时间耗费在检查空立方体上,提出了一种改进的MC算法,分别通过切片图像间的插值和基于分割的快速查找法来对此进行解决。通过实验表明,改进的MC算法比起传统MC算法,在三维重建的效果和效率上都得到了很大的提高。