白光LED用ZnMoO_4∶Tb~(3+),K~+发光材料的制备及发光特性

采用高温固相法合成了Zn0.85Tb0.15MoO4绿色荧光粉,利用XRD和荧光光谱仪对样品进行了测试表征。XRD测试结果表明,在800°C温度下烧结能形成ZnMoO4纯相。激发光谱由MoO42-的电荷迁移宽带(CT)和Tb3+离子特征激发峰组成;研究发现,掺杂了K+离子后电荷迁移带峰位位置向短波方向移动;分析了碱土金属离子K+作为电荷补偿剂对样品发光性能的影响,发现加入电荷补偿剂可大大提高样品的发光强度。该荧光粉的发射光谱光由位于487 nm,543 nm,584 nm,620 nm处的四组发射峰组成,分别对应Tb3+的5D4-7F6(487 nm),5D4-7F5(543 nm),5D4-7F4(584 nm)和5D4-7F3(620 nm)能级跃迁,而5D4-7F5(543 nm)的跃迁发射最强。     

白光LED用ZnMoO4:Tb3+,K+发光材料的制备及发光特性

采用高温固相法合成了Zn<,0.8>Tb<,0.15>MoO<,4>绿色荧光粉,利用XRD和荧光光谱仪对样品进行了测试表征.XRD测试结果表明,在800℃温度下烧结能形成ZnMoO<,4>纯相.激发光谱由MoO<,4><'-2>的电荷迁移宽带(CT)和Tb<'3+>离子特征激发峰组成;研究发现,掺杂了K<'+>离子后电...