在N型GaAs上Ni/Au-Ge合金膜的冶金和电学性能

本文介绍了一种复合薄膜合金特性的实验研究结果,这种复合膜通常用于GaAs的欧姆接触。为了较好地了解这种接触的合金性质和电学性能之间的联系,对淀积于N型外延GaAs上并用Ni薄膜复盖的共晶组成的Au-Ge层做了研究。在很宽的合金温度和合金时间范围内,测量了Ni/Au-Ge/GaAs系统的势垒能量Ψ_(Bn)和特征接触电阻。用俄歇电子频谱和扫描电子显微镜获得Ni/Au-Ge/GaAs系统的冶金性能。用俄歇频谱与在同一设备内溅射腐蚀相结合的方法,测定Ni/Au-Ge/GaAs接触在合金前后所有组份随深度的分布。在低于Au-Ge共熔温度下进行热处理的样品中,发现Ni迅速地穿过Au-Ge层,聚集在GaAs界面上,而且Ψ_(Bn)的有效值增加到Ni/GaAs肖特基二极管的数值。在高于Au-Ge共熔温度热处理的样品中,获得了欧姆接触性能,而且发现在GaAs界面存在Ni是获得均匀合金接触表面的原因。在所有合金温度和时间下,由于GaAs分解,总有Ga的外扩散和表面积累现象。Ga的外扩散似乎可以用非常低的激活能来表征。     

高峰值功率二次谐波限累振荡器

所报告的结果表明:通过在二次谐波频率下萃取功率的办法能够扩展限累振荡器的频率上限。通过对 x 波段限累振荡器二次谐波频率的选择加载,在17.5千兆赫下已获得高达170瓦的峰值功率和4.8%的效率。     

亚微米栅FET的噪声模型

提出了亚微米栅FET的一个新的简单的噪声模型。它考虑了非稳态电子动力学效应,这种效应对亚微米栅FET是非常重要的。所述的这种模型可以估算本征FET的噪声系数,并可用作研究寄生元件影响的一种方法。理论预言与实验结果之间的比较证明了这种模型的有效性。给出了一些重要的结果,例如不同的沟道区域对输出噪声的贡献;栅长和寄生元件对噪声性能的影响等。