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离子注入中的沟道效应使注入离子在深度上的控制变得很困难,并使SHEET值的均一性恶化,本文借助计算机模型。对注入剂量,注入能量,硅片基板方位,硅片表面薄膜氧化层厚度变化时,研究分析了注入沟道效应的相应变化。 相似文献
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