基于MATLAB的集成电路储能焊封装能量分布研究

气密性是集成电路封装中的一项重要技术指标,对于集成电路的可靠性使用具有重要作用。就气密性封装工艺中的储能焊封装技术进行了讨论,通过对储能焊设备放电过程进行分析及建模,得到了气密性焊接能量与各个工艺参数之间的关系,并利用MATLAB软件进行了模拟计算。结合具体实验,验证了理论建模及模拟的正确性,对于储能焊焊接的工艺参数设定及优化具有一定的指导意义。     

用于高密度SMT系统的改进FMECA方法

针对高密度SMT产品或系统中典型失效模式,提出了一种基于模糊集和灰色关联理论的改进FMECA方法。运用模糊集理论对SMT系统失效分析中的专家知识模糊语言进行定量评价,得到失效模式频度、严重度、探测度三个输入变量的非模糊数。采用灰色关联理论计算各个失效模式的灰色关联度,再与改进控制限比较,确定了改进措施的必要性。与传统FMECA风险顺序数方法相比,该改进FMECA方法提高了应用的准确性和可靠性。     

VSe2薄膜的光电性质及背接触特性的研究

采用电子束蒸发法制备VSe2薄膜并进行退火处理,通过XRD、SEM、透过谱、Hall效应、电导率–温度关系等表征了薄膜的结构、形貌、光学和电学性质,用半导体特性测试仪研究了VSe2薄膜的背接触特性。结果表明:VSe2薄膜在一定的退火温度下结晶并呈稳定的六方相,VSe2薄膜为p型直接禁带跃迁材料,光能隙约2.35 eV。将VSe2作为背接触层应用于CdTe多晶薄膜太阳电池,消除了roll-over现象,有效提高了器件性能。     

基于薄膜HIC金铝键合失效的工艺研究

介绍了薄膜混合集成电路(HIC)中金铝键合失效机理,提出了一种解决金铝键合失效的新工艺.分析失效机理发现,铝丝和薄膜金导带形成的金铝界面因原子扩散而形成内部空洞,出现键合根部的键合丝断裂的现象.通过改变键合区金属层结构,实现了单一金属化系统,有效避免了金属间化合物的形成.该项研究结果对陶瓷基薄膜HIC的工艺应用范围的拓...