国产HVM3509硅高压整流堆的设计与制造

介绍了国产ＨＶＭ３５０９微波炉专用硅堆的工艺特点和关键设计制造工艺。该产品具有体积小、电流大、压降低、漏电流小和可靠性高等独特优点。研制结果表明：该产品已达到日本ＨＶＭ３５０９同类产品标准。     

国产HVM3509硅高压整流堆的设计与制造

本文报道了国产ＨＶＭ３５０９微波炉硅堆的设计、关键制造工艺和研制结果．     

应用12MeV电子束福照效应制造硅P^＋NN^＋高频整流二极管

采用１２ＭｅＶ电子束辐照效应将Ｐ＾＋ＮＮ＾＋普通速流二极管改制成高频整流二极管，与传统掺金工艺相比，少子寿命控制精确；ｔｒｒ和ＶＦ的一致性和重复性好；高温性能明显改善；产品合格率提高３０％以上，工艺简单易行。     

塑封硅台面整流二极管组装技术的改进

塑封硅台面整流二极管具有反压高、体积小、外形美观、使用方便等特点,得到了广泛地应用.已成了广播、电视、无线电通讯及国防尖端科学技术不可缺少的基础器件.但该器件一直是采用六十年代的手工组装(焊接)工艺,该工艺的致命弱点是:用银丝作内引线,成本高;工艺复杂,生产效率低,且有污染;器件的热阻大、压降大.性能差;工序多、成品率低.     

国产1N400系列硅整流二极管的设计与制造

1N400系列硅整流二极管是法国汤姆逊公司塑封DO-41的型号.该产品具有小体积、大电流、低正向压降,低反向漏电流等独特优点,深受用户欢迎.被广泛地应用于黑白彩色电视机、无线电通讯以及其它电子设备的电源整流电路中,是其不可缺少同时又是集成电路不能取代的基础整流器件,市场需求量极大.目前我国该类产品大量地依赖进口,国内引进了诸多的硅整流二极管生产流水     

12MeV、4.2kW电子直线加速器的辐照应用

研究了能量为６～１２ＭｅＶ、平均束功率为４．２ｋＷ的工业辐照用电子直线加速器的应用。结果表明,它在对改装半导体器件（二极管、三极管、可控硅）参数特性,大蒜辐照抑制发芽和食品辐照杀菌保鲜综合辐照加工方面更为合适。     

采用高能12MeV电子辐照技术制造快速可控硅

报道了采用最佳能量（高能１２ＭｅＶ）电子，辐照快速可控硅，解决了低能（≤４ＭｅＶ）电子辐射照快速控硅热稳定性差的难题，这对我国半导体器件的电子辐照推广应用将有一定的经济价值。     

高能电子辐照硅阻尼二极管trr的稳定性研究

本文研究结果表明：电子辐照硅阻尼二极管ｔｒｒ的稳定性取决于辐照电子能量和热处理条件。