强制存取控制策略在数据库安全中的应用

本文提出了一种在多层次关系数据模型中采用强制存取控制策略实现对信息分级分类进行管理，强行限制系统中信息的流动和共享，以保护信息安全的方法。     

冷连轧系统中激光测速仪的工作原理与应用

介绍了基于双光速-双散射多谱勒技术的激光测速仪工作原理,对该类非接触式直接测量线速度的仪表进行了数学解析,并在与其他测速仪比较的基础上,对激光测速仪应用对象、仪表扫描周期和采样周期与滤波的关系、测量精度主要影响因素、安装及日常使用等实际问题提出了解决办法.将其应用于本钢薄板冷连轧机组,提高了产品的成材率,大大降低了产品能耗,提升了产品的质量水平.     

A Novel Depletion-Mode MOS Gated Emitter Shorted Thyristor

More attention has been given to the MOS-gated thyristor and several device struc-tures of MOS-gated thyristor have been reported,such as MOS-controlled thyristor(MCT) [1 ] ,depletion-mode thyristor (DMT) [2 ] ,field assisted turn-off...     

SiGe异质结双极晶体管频率特性分析

在分析载流子输运和分布的基础上,建立了物理意义清晰的各时间常数模型．模型体现了时间常数与SiGe异质结双极晶体管结构参数及电流密度之间的关系,并且包含了基区扩展效应．同时对特征频率与上述参数之间的关系进行了模拟分析和讨论．     

氟环唑在苹果及土壤中的残留动态研究

为了解氟环唑在苹果上使用的安全性,分别在天津和安徽两地进行了氟环唑在苹果和土壤中的残留消解规律和最终残留研究,试样经溶剂浸泡提取,层析柱净化,用气相色谱定量。结果表明,氟环唑的最低检出量为1.93×10-13g,在苹果和土壤中的最低检出浓度分别为9.65×10-5mg·kg-1和1.21×10-4mg·kg-1;苹果中氟环唑的平均回收率为88.94%～91.86%,变异系数为5.88%～6.63%;土壤中氟环唑的平均回收率为98.89%～103.03%,变异系数为2.96%～6.33%。氟环唑消解较快,在苹果中其半衰期两地分别为8.21d和11.46d,土壤中其半衰期两地分别为11.53d和16.43d。按推荐剂量(900倍稀释液)2倍施用3次,距最后一次施药间隔21d后,苹果中氟环唑的残留量为0.267～0.033mg·kg-1,土壤中的氟环唑残留量为0.143mg·kg-1～0.123mg·kg-1。说明该药属易分解农药(T1/2<30d),按推荐剂量使用是安全的。     

槽栅MOS控制的晶闸管

报道了一种新结构的功率栅控晶闸管,称其为槽栅MOS控制的晶闸管（TMCT）.在该器件结构中,采用UMOS控制晶闸管的开启和关闭.结构中不存在任何的寄生器件,因此,消除了在其它结构的栅控晶闸管中由寄生晶体管引起的各种问题,所以TMCT会有优良的电特性.实验结果表明,多元胞TMCT（600V,有源区面积0.2mm2）的开态压降在300A/cm2时为1.25V,最大可控电流在栅压为-20V和电感负载下达到了296A/cm2.     

SiGe HBT基区渡越时间模型

建立了SiGe HBT基区渡越时间模型,该模型考虑了电流密度及基区掺杂和Ge组分所引起的各种物理效应,适用于基区掺杂和Ge组分为均匀和非均匀分布,以及器件在小电流到大电流密度下的应用,模拟结果表明：基区集电结边界处载流子浓度引起的基区附加延时对基区渡越时间有较大的影响。     

土壤镉、铅污染对油菜生长行为及重金属累积效应的影响

采用盆栽试验，研究了土壤重金属复合污染物在油菜中的迁移、累积及重金属交互作用的特征．结果表明，Cd-Pb和Cd-Pb-Cu复合污染降低了油菜株高、根长和产量，重金属污染使油菜营养品质下降，Cd-Pb-Cu复合污染对其影响最大；Cd-Pb交互作用促进了Cd从油菜根部向地上部分的迁移，而在不同处理下，油菜根部Pb的含量均大于茎叶的含量；Cd-Pb对油菜吸收Cd具有协同作用，对油菜吸收Pb却具有拮抗作用，Cd-Pb-Cu复合作用的影响则比较复杂。     

SiGe HBT基区渡越时间与基区Ge组分剖面优化

建立了ＳｉＧｅＨＢＴ基区渡越时间与基区Ｇｅ组分任意剖面分布的分析模型,模拟分析了它们之间的关系,得到了获得最小基区渡越时间的基区Ｇｅ组分剖面函数,结果表明,优化的Ｇｅ组分剖面在基区吉处正比于ｘ＾２增加,到ｘ０点时,Ｇｅ组分达峰值,并保持到收集结处,α是大于１的数,随基区中收集结侧相对发射结侧禁带变化量的增加而减小,ｘ０随基区禁带变化量的增另而向收集结方向移动。     

MOS控制晶闸管的最大可关断电流

建立了MOS控制晶闸管最大可关断电流的解析关系式 .在该关系式中 ,关断电流只与晶闸管中耦合晶体管的电流放大系数及晶闸管射极短路电流有关 .另外 ,基于MOS控制晶闸管的仿真模型 ,模拟分析了最大可关断电流与它们间的关系 .解析与模拟分析结果符合较好 .结果表明 ,耦合晶体管电流放大系数及晶闸管射极短路电流的设计决定了器件的最大可关断电流 .