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ION BEAM AND SIMS ANALYSIS ON DAMAGE OF GaAs DOPED WITH N~+WuXiaoshan;LinZhenjin;JiChengzhou;andYangXizhen(DepartmentofPhysic?.. 相似文献
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为了研究结型发光材料的性能,进行了Zn离子注入到n型GaP中的试验。由于Zn离子对Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体是P型掺杂物,因此,Zn离子注入到n型GaP晶体中,经真空退火可形成p-n结,在适当条件下即可发光。从而证实了Zn离子已经注入到了GaP晶体中。Zn离子的注入能量为180keV,注入剂量是1×1016cm-2;所用n型GaP是合成溶质扩散法(SSD)制成;注入样品的保护层使用高频溅射SiO2,膜厚9000A。注入后的退火是在真空度为10-5乇的石英管中进行,退火时间为30分钟和40分钟两种,退火温度为1000℃。退火后,用铁氰化钾配方对样品染色。金相显微镜测量结果为5μm,证明Zn离子注入后形成了p-n结。又用探针法使样品发光,光呈红色。对样品进行了光激发光的测量,光激是Ar 离子激发,波长在77k下4880A,测出了PL光谱,峰值波长为6648A和5760A。同样条件下,对纯高阻GaP材料经Zn离子注入后并不发光。对注入后的样品进行了背散射测量,使用1.5MeV的He 4离子入射,样品的面积为1mm2,用200道分析器检测,每道能量为8 keV,测得了样品的组分比,说明P的组分比Ga的组分多一些,所以样品的配比有待进一步改善。本试验指出:Zn注入GaP在上述条件下能形成发光的p-n结。还指出Za离子注入到GaP中,退火温度高于800℃时(如1000℃),只要保护层作得好,真空度足够高(10-5乇以上)对制成发光结是很有利的。 相似文献
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