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1.
研究表明扩Cu与热处理GaAs 中都存在的1.36eV发光峰,起源是不同的.前者主要与Cu_(Ga)有关,而后者主要与V_(Ga)有关.首次观察到在同样的温度下扩Cu的与热处理的GaAs(未掺杂)样品,经H等离子体处理后,在扩Cu样品中,在1.41eV附近出现了一个新的发光峰,而在热处理的样品中却不存在此峰.1.41eV发光峰所对应的发光中心可能是H与Cu形成的复合体.  相似文献   
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