排序方式: 共有56条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1.
2.
采用磁控溅射法在玻璃基片上沉积LaB6薄膜。通过改变溅射功率参数,获得最佳制备工艺条件。采用XPS、X射线衍射仪和分光光度计研究薄膜的成分、结构、晶向以及透过率。当溅射功率为44 W,氩气气压为1.5 Pa,氩气流量为27 sccm时制备的LaB6薄膜表面相对平整,结构致密。 XRD数据也表明,此时LaB6薄膜结晶度最高且(110)晶面发生明显的择优生长。同时分光光度计结果显示:薄膜的透过率随溅射时间的增加而降低,并且最高透过率对应的波长没有发生变化。 相似文献
3.
4.
5.
采用溶胶-凝胶工艺,用提拉法在玻璃基底上制备了ITO透明导电薄膜。使用四探针测试仪和紫外可见光分光光度计测量薄膜的方阻和透过率,并采用XRD、SEM等测试手段对薄膜的晶体结构、表面形貌进行了表征。结果表明,掺锡比例和热处理温度对薄膜的导电性具有重要影响,在掺Sn量为15%(原子分数比)、450℃热处理时薄膜的方阻最小;薄膜的透过率曲线随掺锡比例的增加向紫外方向移动。随着热处理时间、镀膜层数的增加,薄膜的方阻先减小,最后趋于一稳定值,在可见光范围内薄膜的透过率变化较小。 相似文献
6.
7.
8.
9.
10.