采用局域注氧技术制备的新型DSOI场效应晶体管的热特性

通过局域注氧工艺 ,在同一管芯上制作了 DSOI、体硅和 SOI三种结构的器件 .通过测量和模拟比较了这三种结构器件的热特性 .模拟和测量的结果证明 DSOI器件与 SOI器件相比 ,具有衬底热阻较低的优点 ,因而 DSOI器件在保持 SOI器件电学特性优势的同时消除了 SOI器件严重的自热效应 .DSOI器件的衬底热阻和体硅器件非常接近 ,并且在进入到深亚微米领域以后能够继续保持这一优势 .     

改进稠密双目匹配算法在输电线路基础三维重建的应用研究

三维扫描技术具有准确性强、精度高等优势,在工件尺寸测量、体积测量等方面得到了初步的应用。然而,针对输电线路基础这类大尺寸、低纹理特征的对象,其获得的三维点云较为稀疏,匹配精度还存在一定问题,测量精度无法达到特高压电网建设的要求,应用还存在一定难度。为了解决上述问题,论文建立双目摄像系统的数学模型,通过改进的Census变换和高斯加权操作提高图像匹配代价计算的精度,结合基于纹理信息的图像边缘保留滤波方法,计算得到目标表面的稠密点云,实现了三维表面重建。通过对220千伏电网基建工程进行三维测量实验,实验结果表明论文提出的三维测量方法和系统,测量误差低于1mm,满足输电线路工程基础质量设计和验收规范要求,能够广泛应用于电网基建工程基础验收等环节,提高验收精确度。     

葡萄状枝瑚菌菌丝液体培养条件优化

为了研究液体培养条件对葡萄状枝瑚菌菌丝生长量的影响,通过单因素实验和正交试验分别考察了碳源、氮源、无机离子组合、生长因子、培养基初始pH、培养温度、摇床转速和光照这8个因素对菌丝生长量的影响,结果表明,最佳培养条件为:在23℃、摇床转速为220 r/min时,培养基初始pH6.5,装瓶量50 mL/250 mL锥形瓶,接种量10%(V/V),全黑暗培养7 d,1 L液体培养最佳培养基为25 g可溶性淀粉,3.5 g酵母粉,4.4 g(1.2 g KH₂PO₄+1.6 g FeSO₄·7H₂O+1.6 g MgSO₄·7H₂O)无机离子,0.01 g VB₁,在此条件下葡萄状枝瑚菌菌丝生长量为(26.8±0.29)g/L。此研究结果为葡萄状枝瑚菌的液体发酵奠定了基础。     

一种结构调整后的DSOI器件

提出一种改进的DSOI结构,在保留DSOI解决浮体效应和散热问题的基础上,能提高电路速度和驱动能力等器件性能.采用不完全除去沟道下绝缘层的办法,使DSOI器件的结构更接近SOI.采用准二维器件模拟器MEDICI对结构进行模拟,结果证明这种改进后的结构使器件具有更优越的性能.     

采用局域注氧技术制备的新型DSOI场效应晶体管的热特性

通过局域注氧工艺,在同一管芯上制作了DSOI、体硅和SOI三种结构的器件.通过测量和模拟比较了这三种结构器件的热特性.模拟和测量的结果证明DSOI器件与SOI器件相比,具有衬底热阻较低的优点,因而DSOI器件在保持SOI器件电学特性优势的同时消除了SOI器件严重的自热效应.DSOI器件的衬底热阻和体硅器件非常接近,并且在进入到深亚微米领域以后能够继续保持这一优势.     

一种结构调整后的DSOI器件

提出一种改进的DSOI结构,在保留DSOI解决浮体效应和散热问题的基础上,能提高电路速度和驱动能力等器件性能.采用不完全除去沟道下绝缘层的办法,使DSOI器件的结构更接近SOI.采用准二维器件模拟器MEDICI对结构进行模拟,结果证明这种改进后的结构使器件具有更优越的性能.