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基于pin结构的a-Si∶H太阳能电池中的空间电荷效应,讨论了a-Si/poly-Si叠层太阳能电池的稳定性.结果表明,在光照射下,光生空穴俘获造成了a-Si∶H中正空间电荷密度的增加,从而改变了电池内部的电场分布,提高了a-Si∶H薄膜中的电场强度.空间电荷效应不会给a-Si/poly-Si叠层结构中的a-Si∶H薄膜带来准中性区(低场"死层"),也没有发生a-Si/poly-Si叠层太阳能电池的光诱导性能衰退,因而a-Si/poly-Si叠层结构太阳能电池具有较高的稳定性. 相似文献
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氢化非晶硅中空穴与电子的俘获效应:PIN型非晶硅太阳能电池稳… 总被引:1,自引:1,他引:0
林鸿生 《固体电子学研究与进展》1994,14(2):127-135
通过应用Scharfetter-Gummel解法数值求解Poisson方程,对经高强度光辐照过的PIN型非晶硅太阳能电池进行计算机数值模拟。结果表明,载流子俘获效应所造成的a-Si:H中空间电荷净增加或减少都会使电池内部电场分布发生改变和准中性区的出现,使电池性能因光的长期辐照而衰退。本文还讨论了a-Si:H中载流子俘获效应的研究在高稳定性PIN型非晶硅太阳能电池研制中的重要性。 相似文献
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通过应用Scharfetter-Gummel解法数值求解Poisson方程,对热平衡态a-SiC/c-Si异质结太阳能电池进行计算机数值模拟,详细分析不同制备条件下a-SiC/c-Si异质结太阳能电池的能带结构和电池中电场强度分布,指出采用更薄p+(a-SiC∶H)薄膜和在pn异质结嵌入i(a-Si∶H)缓冲薄层设计能有效增强光生载流子的传输与收集,从而提高a-SiC/c-Si异质结太阳能电池的性能,而高强度光照射下模拟计算表明,a-SiC/c-Si异质结太阳能电池具有较高光稳定性. 相似文献
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通过应用Scharfeter-Gummel解法,数值求解Poisson方程,对热平衡态n+(μc-Si∶H)/p(poly-Si)/p+(poly-Si)薄膜太阳电池进行计算机数值模拟。说明类p-i-n结构设计使电池获得了较高的短路电流JSC,而中间层p(poly-Si)的掺杂有利于提高电池的短波量子效率特性,还讨论了n+(μc-Si∶H)和p+(poly-Si)等层厚度对光生载流子收集的影响。 相似文献
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通过求解Poisson方程,对热平衡态金属:p-n-CdTeSchotky势垒薄膜太阳能电池进行计算机数值模拟。嵌入的p型层增大传统金属:n-CdTe结的有效Schotky势垒高度与p型层厚度、掺杂浓度以及n-CdTe本底电阻率有依赖关系。最后讨论嵌入p型层增强CdTeSchotky势垒太阳能电池对光生载流子的收集作用。 相似文献
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n—CdS/p—CulnSe2异质结二极管电流传输机制的研究—计算机模拟分析 总被引:2,自引:0,他引:2
应用Scharfetter-Gummel解法数值求解电子、空穴连续性方程和泊松方程,对CdS/CuInSe2异质结的伏安特性进行计算机数值模拟。基于材料、器件参数的实验数据,我们的计算结果支持了CuInSe2中的Shockley=Read空间电荷复合是控制CdS/CuInSe2异质结二极管正向电流主导的物理机制,进一步说明在提高CIS太阳电池性能的努力中开展CuInSe2化学缺陷研究的重要性。 相似文献
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类p—i—n结构n^+(μc—Si:H)/p(poly—Si)p^+(poly—Si)薄膜太阳电池的热平衡 总被引:1,自引:0,他引:1
通过应用Scharfetter-Gummel解法,数值求解Poisson方程,对热平衡态n^-(μc-Si:H)/p(poly-Si)p^+(poly-Si)薄膜太阳电池进行计算机数值模拟。 相似文献
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