一种基于Euclidean的无线传感器网络三维定位算法

 针对传感器网络在三维空间的应用,基于Euclidean定位算法,提出了对无线传感器节点进行三维定位的算法.将计算未知节点与锚节点间距离问题抽象为求解六面体顶点间的距离.根据问题的抽象,本文使用所提出的坐标法进行求解,并采用循环迭代的方式来提高节点的定位比例.仿真结果表明,三维空间的Euclidean定位算法各项指标均为良好,能有效地实现三维环境中的传感器节点定位.     

低温取向硅钢的渗氮工艺

基于实验室条件下模拟CSP工艺低温生产取向硅钢,通过辉光光谱分析和TEM分析,对低温取向硅钢渗氮工艺进行研究。结果表明,随着渗氮时间的延长、渗氮温度的上升或渗氮气氛中NH_3浓度的增加,试样中的氮含量均随之增加。基于辉光光谱对试样中元素的分布分析,发现渗氮后试样中氮含量有所增加,氮进入试样中首先在表面聚集达到一定浓度后,再向内部扩散,其含量随渗氮距离的增加逐渐趋于平稳。900℃渗氮后,由于渗入的N跟Al形成AlN析出相并且相互合并聚拢,因此渗氮后较渗氮前析出相的数量变多,同时出现析出相团聚现象。     

Hi-B钢二次再结晶退火中异常长大Goss取向晶粒的三维形貌表征

利用定量逐层研磨和计算机辅助重建及可视化技术,并结合电子背散射衍射(EBSD)技术,研究了Hi-B钢二次再结晶退火中异常长大Goss取向晶粒的三维形貌,并探讨了其长大规律和特征。研究表明,在三维尺度上,异常长大Goss取向晶粒呈现"饼形"晶粒形貌,异常长大过程中遵循"饼形"长大规律,即处在次表层的二次再结晶晶核在中间层快速长大取得尺寸优势后,反向沿厚度方向长大到样品表面,并在表面能的作用下继续沿板面方向异常长大,最终使得在板面方向的尺寸远大于厚度方向的尺寸;在Goss取向晶粒异常长大过程中,一些基体大尺寸晶粒由于尺寸优势会阻挡Goss取向晶粒长大,从而暂时保留在晶粒内部形成"岛状"晶粒。而在长大前沿,由于基体晶粒尺寸的不均匀性,特别是遇到一些大尺寸晶粒无法在短期内被吞噬掉,或者是2个异常长大的Goss取向晶粒相遇后造成某些方向长大停止,而一些基体晶粒被包裹进来成为"岛状"或"半岛状"晶粒,还有可能是不同取向晶粒晶界迁移率存在明显的差异性等方面的影响,使得Goss取向晶粒在某些方向长大受阻,从而表现出晶界前沿参差不齐,长大呈现典型的各向异性特征。     

高压输电监测无线传感网功率控制算法

为了延长网络生命周期,解决高压输电监测的无线传感器网络中节点能量受限问题,结合应用背景的实际特点,提出一种基于节点动态聚类的功率控制算法。该算法以高压输电监测的网络架构为基础,分析传感器节点间的空间几何位置关系,综合考虑空间几何信息与节点剩余能量,利用聚类分析方法对网络内具有相似性的节点进行动态聚类,使数据转发在类区域代表节点之间传递。同时,采用可变的功率调制技术进行数据传输。仿真结果表明,该算法能够有效地降低网络能量消耗,并延长网络的生命周期。     

共析钢形变诱导珠光体相变及渗碳体动态球化

利用热模拟压缩变形实验研究了共析钢过冷奥氏体形变诱导珠光体相变的组织演变规律,探讨了不同形变量、形变速率、形变温度对诱导珠光体相变的影响。结果表明,由于应力的施加使相变动力学提前,诱导相变能够迅速的在形变的过程中发生,不同形变条件下组织呈现出动态演变的规律。提高形变量,增加了组织内的位错密度和相变驱动力,加速了相变的发生和渗碳体球化的进程;对于扩散控制型相变,降低形变速率增长了形变作用时间,碳原子能够得到充分扩散,有利于得到球化组织;在A1~Ar1温度间变形,形变温度降低,过冷度增加,球化时间延长,得到的渗碳体颗粒更为细小。因此高形变量、低形变速率、低形变温度三者均有利于得到超细晶复相组织(α+θ)。同时研究发现,在形变的过程中存在先共析铁素体沿奥氏体晶界形核析出。     

Hi-B钢二次再结晶退火过程中未异常长大Goss晶粒晶界特征

采用中断法并结合电子背散射衍射(EBSD)技术,研究了Hi-B钢二次再结晶退火过程中大量未异常长大Goss取向晶粒的晶界特征。结果表明:未异常长大Goss取向晶粒的晶粒尺寸相较于基体晶粒和相邻晶粒并没有明显的差异性。同时未异常长大Goss取向晶粒与异常长大Goss取向晶粒周围的HE晶界和CSL晶界比例也没有明显的差异。在二次再结晶退火过程中,尺寸优势、HE晶界、CSL晶界和Goss取向偏离度都不能保证Goss取向晶粒发生异常长大。而随着退火温度的升高,Goss取向晶粒有逐渐向标准Goss晶粒取向靠拢的趋势。     

低温取向硅钢初次再结晶织构及晶界特征分析

应用EBSD技术对低温取向硅钢初次再结晶样品表层、次表层及中心层微观组织进行了研究并基于HE与CSL晶界理论对各层的晶界特征分布进行了分析。结果表明:各层初次再结晶织构以γ织构及{114}〈418〉织构为主,Goss晶粒主要分布在表层与次表层,平均晶粒尺寸由表层至中心层逐渐减小。基体与Goss晶粒取向差分布主要集中在能构成高能晶界关系的20°~45°间,并且次表层所占比例最高。基体中CSL晶界类型以∑3为主,在Goss晶粒周围分布着极少量的∑5、∑7、∑9晶界。