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基于0.18 μm CMOS工艺,介绍了一种UHF频段低噪声放大器(LNA)与静电放电(ESD)保护器件的协同设计和电路仿真方法.采用传输线脉冲测试系统,测得ESD二极管的正向热失效击穿电流为4.28 A,等效于人体模型5.6 kV;反向热失效击穿电流为0.2A,等效于人体模型500 V.通过仿真,分析了ESD二极管的电阻、电容特性,给出了其在LNA正常工作情况下的等效电路;结合LNA电路仿真结果,比较了二极管寄生效应对LNA阻抗匹配、增益、噪声系数和线性度等指标的影响,验证了等效电路的正确性. 相似文献
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基于传统双向可控硅(DDSCR)提出了两种静电放电(ESD)保护器件,可应对正、负ESD应力从而在2个方向上对电路进行保护。传统的DDSCR通过N-well与P-well之间的雪崩击穿来触发,而提出的新器件则通过嵌入的NMOS/PMOS来改变触发机制、降低触发电压。两种改进结构均在0.18μmRFCMOS下进行流片,并使用传输线脉冲测试系统进行测试。实验数据表明,这两种新器件具有低触发电压、低漏电流(~nA),抗ESD能力均超过人体模型2kV,同时具有较高的维持电压(均超过3.3V),可保证其可靠地用于1.8V、3.3V I/O端口而避免出现闩锁问题。 相似文献
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