定域SOI区熔再结晶研究

用高频感应石墨条作为红外辐射热源,对淀积在二氧化硅衬底上的多晶硅进行了区熔再结晶.再结晶后硅膜晶粒宽度可达几百微米甚至几毫米以上,长度可在区熔扫描方向延伸到样品尺度.在晶粒中存在大量间隔约10-50μm的亚晶界.采用热沉技术及多晶硅膜厚调制技术对亚晶界进行了定域限制,达到了非常好的效果.TEM分析表明再结晶后硅膜呈[100]晶向.SEM观察表明再结晶后样品具有平整的表面及界面.Raman谱测量表明区熔再结晶后硅膜中张应力很小,约为0.9×10~9 dyne/cm~2.     

用于制备SOI材料的RF-ZMR技术研究

开发了一种新型的RF-ZMR技术,其主要特点是高频感应加热器的石墨板和双石墨条位于SOI 样品的同侧.这样可提高垂直于硅片表面方向的温度梯度,有利于防止背面熔化,并能采用较厚氧化隔离层.实验证明,采用热沉结构的样品经该系统再结晶处理,可以得到完美的无缺陷晶膜. 硅膜熔化后收球是目前进一步发展SOI-ZMR技术的一个技术难点,实验研究表明,简便的RTN技术能有效地抑制硅膜收球.     

室温H_2S敏感器件

传感器是近几年发展起来的一门新兴技术.它可用来替代人的感官,将一系列外界的刺激变为电信号,从而为自动处理设备或计算机控制系统提供必要的信息.半导体气敏传感器作为一种主要的传感器件,已经在人们的家庭生活,社会公共设施,自动控制及国防现代化方面得到了广泛应用,从而越来越为各界所重视.1975年,瑞典的I.LUndstr‘o’m利用Pd金属作为栅极材料制成了一支氢敏MOS传感器.后来Armagarth等人又指出这种器件对H_2S及NH_3也有一定的敏感特性.但多年来,这种Pd栅MOSFET气敏传感器一直是在高温下使用(≥150℃),这不仅给器件的使     

二氧化锡材料气敏机理的研究

本文建立了氧离子陷阱势垒模型来说明多晶SnO_2材料的导电机制与气敏机理,推导出了不同情况下SnO_2灵敏度与还原性气体浓度的关系,以及影响该灵敏度的结构参数.实验结果表明,提出的模型能较好地解释SnO_2材料的各种气敏特性.