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采用脉冲激光沉积技术在Si(100)衬底上制备了高导电的IrO2薄膜,重点研究了退火前后其电学性能和微观结构的变化规律。采用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、光电子能谱(XPS)和四探针法对退火前后IrO2薄膜的结构和电性能进行了表征,并利用霍尔效应研究了IrO2薄膜的导电机理。结果表明:IrO2薄膜在空气中退火后,导电性能得到提高,其中在750℃退火的电阻率达到最小值37μΩ.cm。在25~500℃范围内,IrO2薄膜的高温电阻率随着温度的升高呈线性关系逐渐增大,呈现出类似金属的导电特征。在250~400℃沉积的IrO2薄膜载流子的类型为p型;沉积温度较高(500℃)或在更高温度退火处理后,IrO2薄膜载流子的类型为n型,其导电机理以电子导电为主。 相似文献
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利用Na2SO4作为熔盐,ZnCl2、MnCO3和Na2SiO3.9H2O作为原材料,在900~1050℃间成功地合成了绿光发射的Zn2SiO4∶Mn荧光粉。当监测波长为524nm时,样品激发谱出现峰值位于254nm和270nm的两个较强的宽带激发峰,同时存在几个较弱的宽带激发峰,分别位于358nm、425nm和434nm处。发射光谱表现为峰位位于524nm处的一个宽带发射。样品的最佳烧结温度为1000℃,最佳保温时间为5h,当Mn2+掺杂摩尔浓度为3%时,样品绿光发射性能最好。 相似文献
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