双层厚膜结构改善气敏元件灵敏度和选择性研究

研究了厚膜印刷技术制备的双层膜结构气敏元件的灵敏度和选择性.测量结果表明:在二氧化锡(SnO2)单层膜下再添加一层纳米三氧化钨(WO3)材料厚膜,可以提高气敏元件对酒精、丙酮、甲醛、甲苯还原气体的灵敏度和选择性.当浓度为900×10-6时,将SnO2覆盖在WO3之上形成双层膜时,较两种材料对应的单层膜灵敏度均有所提升.因此,双层厚膜结构为改善元件的灵敏度和选择性提供了一种可行的方法.初步认为,双层膜的作用与膜的上、下排列顺序有很大的关系,也与双层界面间由于扩散效应所形成的过渡层有关.     

氧扩散热处理SrTiO3压敏电阻的非线性和界面势垒

伏安特性测量和分析表明,随热处理温度增高,空气中氧扩散热处理SrTiO3压敏电阻的界面电子势垒高度和压敏电压不断增大,而非线性系数则开始增大随后反而减小。分析认为,这与扩散层的厚度不断增加有关。复阻抗测量得到晶粒电阻Rg随热处理温度增高而增大的实验事实,为扩散层的存在及其变化提供了间接证明。     

BaSnO3热敏电阻器电学性能的研究

介绍了以BaCO3和SnO2粉料为主原料,SiO2、Bi2O3和Sb2O3为助烧剂,Ta2O5为施主掺杂改性剂,Na与Mn无机盐为受主掺杂改性剂,采用传统固相反应法制备BaSnO3的半导体陶瓷的方法。经测试与分析可知,该半导体陶瓷的相对密度高达理论密度的97%。通过对样品电学性能的初步研究,发现该样品具有NTC效应。     

n型半导化TiO2压敏陶瓷的导电机制

分析了n型半导化TiO2压敏陶瓷中晶粒间界处的受主态性质，得出为晶界受主态的能级是多级化的；利用晶界平衡热电子发射势垒模型，合理地解释了该材料的I－V非线性特征；从理论上推导出了非线性系数α正比于晶界电压，且与晶界受主态的分布函数有密切关系。     

BaTiO3薄膜的Sol-Gel制备工艺及性能

利用溶胶－凝胶法（Sol-Gel)在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备了BaTiO3薄膜，研究了不同退火条件下BaTiO3薄膜的晶相结构及表面形貌，测试了BaTiO3薄膜的电学性能。发现经900℃、120min退火处理的BaTiO3薄膜的介电－温度（εr-T)关系具有明显的弥散相变特性。     

影响ZnO压敏陶瓷非线性有关参数的优化分析

基于已有的导电机理模型，认为ZnO压敏陶瓷的非线性与界面势垒的高度和宽度相关，界面态密度Ns、施主浓度Nd和它们的分布是影响势垒的主要参数。强调指出。由常见的势垒表达式去分析这些参数对势垒的影响时，必须遵守表达式建立时所依据的前提条件。分析可知在提高Nd的同时，必须相应地提高Ns及改善它们的分布，才能使元件具有良好的非线性；在实际工作中。应从性能、成本、工艺操作等全面考虑。确定这些参数的优化匹配数值。