单片X波段GaAs MESFET振荡器

本文介绍了单片X波段GaAs MESFET振荡器的研究结果,阐明了计算GaAs MES FET三端口S参数以及用此参数设计单片振荡器的方法,给出了单片振荡器的制造技术及测试结果;10.3GHz时输出30mW;8.2GHz时输出40mW,效率15％。     

抓住机遇 迎接挑战 加速发展振兴我国半导体产业──在中国半导体行业协会第二届第一次会员大会闭幕式上的讲话（1995年5月23日）

抓住机遇迎接挑战加速发展振兴我国半导体产业──在中国半导体行业协会第二届第一次会员大会闭幕式上的讲话（１９９５年５月２３日）中国半导体行业协会理事长楼洁年各位领导、各位代表：中国半导体行业协会第二届第一次会员大会，在与会领导和全体代表的共同努力下，即...     

7-10千兆赫pn结砷化镓功率雪崩管的设计和性能研究

本文详细叙述了7～10千兆赫2.5瓦pn结砷化镓功率崩越管简化的设计方法和研究结果.200℃结温下获得的最佳电性能为7.76千兆赫、振荡输出功率2.6瓦.效率19.3%.用本器件研制的注入锁定放大器已成功地取代微波通讯机中的行波管.