俄罗斯雷达技术的发展动态和启示

综述俄罗斯雷达技术发展的新动态及ＷＮ级米波雷达的反隐身能力和反反辐射导弹能力。重点讨论了ＷＮ级雷达的模块化设计思路及其所带来的启示。     

俄罗斯雷达技术的发展动态和启示

综述俄罗斯雷达技术发展的新动态及 Ｗ Ｎ 级米波雷达的反隐身能力和反反辐射导弹能力。重点讨论了 Ｗ Ｎ 级雷达的模块化设计思路及其所带来的启示。     

K波段GaAs双栅场效应晶体管

本文给出了GaAs双栅场效应晶体管的高频等效电路模型以及输入/输出阻抗、跨导,单向增益、稳定因子等的解析表达式。在低频时,双栅场效应晶体管的增益高于单栅场效应晶体管,但是由于第二栅的电容分流效应,随着频率的增加双栅场效应晶体管的增益急速下降。我们研制了可用于K波段可变增益放大器中的双栅功率场效应晶体管,该器件总栅宽为1.2mm,在10GHz下,输出功率为1.1W,增益为10.5dB,附加功率效率为31％。同样栅宽的器件。在20GHz下,输出功率为340mW,增益为5.3dB。在K波段,动态增益控制范围可达45dB,在最初的增益控制变化10dB范围内,其插入相位变化不超过±2°。     

碳化硅晶片表面质量差异影响因素研究

分析了金刚石线锯多线切割150 mm SiC晶片的表面形貌及质量,通过测试SiC片Si面和C面的表面粗糙度(Ra),发现C面Ra值约为Si面的2倍。在切割过程中晶片向Si面弯曲,使锯丝侧向磨粒对Si面磨削修整作用更强,从而使晶片Si面更加光滑。此外,通过显微截面法测试了SiC晶片两面的损伤层深度。结果表明,Si面损伤层深度约为7.89 μm,明显低于C面的13.8 μm,显微镜下观察到截面边缘更加平整。该方法进一步证明了多线切割时晶片向Si面弯曲,使锯丝侧向磨粒对Si面的磨削效果更强,从而造成SiC晶片两面表面形貌和质量存在差异。