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1.
采用粉末样品压片制样,用偏振能量色散X-射线荧光光谱仪对水系沉积物和土壤样品中多种元素进行测定。除Na,Si和Fe外,其余元素利用经验系数和二级靶的康普顿散射线作内标校正基体效应。分别采用了Al2O3,W,BaF2,CsI,Ag,Rb,Mo,Zr,SrF2,KBr,Ge,Fe,Ti和Al等不同偏振靶(或二级靶)对被分析元素进行选择激发和测定。在总测量时间为2 000 s(每个样品)的条件下,除Na,Mg,Al,Si,P,K等轻元素外,其余各元素的检出限达到0.25-14.80μg/g。  相似文献   
2.
在不同的生长条件下进行了钼酸铅(PbMoO_4)晶体生长实验,研究了生长条件与固液界面附近液流状态的关系,以及液流状态对界面形状和晶体完整性的影响.实验表明PbMoO_4晶体生长过程中,界面形状经历了从凸到凹再凸的变化.这些变化是受固液界面附近液流状态的转换支配的.在等径生长过程中,固液界面附近的液流发生了从强迫对流占优势向自然对流占优势转换的现象.我们认为,这一现象是当格拉索夫数Gr随着液面下降熔体径向温差增加而增加到超过某一临界Gr数时产生的.液流的这一转换使得界面中心部位的生长速度迅速增加,产生了组分过冷或气泡、固体包裹物的集聚.我们利用增大熔体的径向温差并降低晶体的转数来降低强迫对流的强度,有效地抑制了固液界面附近液流转换,从而避免了上述缺陷的产生,提高了晶体完整性.研究表明维持生长过程中固液界面附近液流状态的稳定性是生长完整晶体的重要条件.  相似文献   
3.
在沿a轴生长PbMoO_4晶体的芯部,常出现云雾状的缺陷.我们称这样的胞状组织为芯状过冷胞.产生这种缺陷的原因是固液界面处因液流状态变化而引起的局部组分过冷.本文定量描述固液界面的变化与工艺参数之间的关系并计算出理论临界值.  相似文献   
4.
本文确定了在 TBP-HNO_3-HCl 体系中,萃取分离锆铪时,水相中所含硅(Ⅳ)、磷(Ⅴ)杂质是造成乳化的重要因素。同时发现钛(Ⅳ)能抑制磷(Ⅴ)在萃取段造成的乳化,某些醇类能抑制硅(Ⅳ)造成的乳化。富集段的乳化可在水相中滴加少量硫酸防止之。对乳化机理也进行了初步研究。  相似文献   
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