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本文报道采用560℃低温二次液相外延及精心光刻腐蚀,使外延片质量提高,器件的光电特性得到改善。最低I_((?)h)=1.7mA,外微分量子效率η=25%(单面),最高连续激射温度为130℃,最大输出功率超过30mW。并采用PbSn焊料改进制管工艺,提高了器件的可靠性。  相似文献   
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半导体激光放大器的理论与实验研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
从理论与实验上研究了1.3μm的法布里-珀罗放大器(FP-SLA)与行波放大器(TW-SLA).分析了半导体激光器的增益特性,指出了“准”行波放大器的优越性.  相似文献   
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