钛酸钡系PTCR与氢气相互作用的研究

研究钛酸钡系ＰＴＣＲ与氢气的相互作用，实现了烧成后陶瓷ＰＴＣＲ样品的氢处理可控制降阻。通过测试降阻后样品电性能的变化以及阻值长期稳定性，确认了氢处理降阻的可行性。研究了ＰＴＣＲ与氢气相互作用过程，并从晶界势垒变化角度，探讨了ＰＴＣＲ与氢气相互作用实现降阻的机理。     

半导体CdTe薄膜电化学沉积研究

本文研究半导体ＣｄＴｅ薄膜在ＩＴＯ透明导电玻璃基底上的电化学沉积。分析了电化学沉膜过程以及反应机理，对不同电参数下沉积膜进行了性能表征，研究了温度、沉积电压等参数对膜性能的影响，探讨了制备颗粒细小、均匀性好并具有一定择优取向的ＣｄＴｅ薄膜的方法。     

钛酸钡基热敏电阻器低温调阻法

通过陶瓷与酸的相互作用，使钛酸钡基ＰＴＣＲ陶瓷材料烧成样品的阻值上升。酸处理工艺条件对阻值上升幅度有一定影响。酸处理后的样品的综合电性能的变化，确定了用酸处理升高阻值的可行性。运用复阻抗分析法对样品阻值上升前后晶粒、晶界电阻的变化进行了研究。分析了酸处理过程中阻值变化的规律。运用叠加势垒模型分析了酸处理使阻值升高的机理。     

微间隙击穿性能的研究

本文对微米量级微间隙的电击穿性能进行了研究,在制作出微间隙试样的基础上,改变徽间隙所处环境气氛以及间隙距离,测试了不同条件下的击穿电压V相对于气体压强P关系曲线,系统研究了N_2、O_2、Ar、He、Nc等环境气氛以及间隙距离对微间隙击穿性能的影响.对微间隙的静电击穿机制也进行了一些有益的探讨.     

微间隙击穿性能的研究

本文对微米量级微间隙的电击穿性能进行了研究,在制作出微间隙试样的基础上,改变微间隙所处环境气氛以及间隙距离,测试了不同条件下的击穿电压V相对于气体压强P的关系曲线,系统研究了N_2、O_2、Ar、He、Ne等环境气氛以及间隙距离对微间隙击穿性能的影响,对微间隙的静电击穿机制也进行了一些有益的探讨。     

微间隙击穿性能的研究

本文对微米量级微间隙的电击穿性能进行了研究,在制作出微间隙试样的基础上,改变微间隙所处环境气氛以及间隙距离,测试了不同条件下的击穿电压V相对于气体压强P关系曲线,系统研究了N_2、O_2、Ar、He、Ne等环境气氛以及间隙距离对微间隙击穿性能的影响。对微间隙的静电击穿机制也进行了一些有益的探讨。     

Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体电化学原子层外延

介绍了一种外延沉积化合物半导体材料的新方法－电化学原子层外延技术，它将电化学沉积技术与原子层外延技术结合起来，通过运用欠电热技术交替电化学沉积化合物的组成元素一次一个单原子层而实现外延生长。从而使外延技术具有电沉积简单与低成本的优点。     

水溶液中阴极电沉积半导体CdTe薄膜性能的研究

研究了半导体ＣｄＴｅ薄膜不同阴极电沉积条件（搅拌、加温）下，沉积电位与电流密度、沉积速率的关系。着重研究了沉积电位对ＣｄＴｅ膜层成份及导电类型的影响，通过控制沉积电位制备了不同导电类型的半导体ＣｄＴｅ薄膜。对沉积膜形貌和结构分析表明，室温搅拌条件下沉积的ＣｄＴｅ薄膜，整体均匀性好，呈非晶结构，氮气氛中高温退火后，ＣｄＴｅ膜沿一定方向有较明显取向。     

Si_3N_4膜绝缘与击穿特性的研究

论述以SiH_4 Ar N_2为源气体的PECVD氮化硅膜层绝缘与击穿特性。通过改变沉积温度、反应气体比、沉淀时间等因素,系统研究了这些沉积工艺参数对Si_3N_4膜绝缘耐压性能的影响。在一定的沉积条件下,得到了耐压性能可与LPCVD工艺所沉漠层相比拟的优质Si_3N_4介质膜。在用AES对膜层微观成份分析的基础上,对Si)3N_4膜的三步沉膜机理进行了一些有益探讨。