光掩模涂层的薄膜分析

<正> 半导体生产中的光刻工艺要求使用能确定器件某种特征的高质量的掩模材料。除了要求掩模材料能阻挡光刻操作所必需的光化辐射外(主要是紫外线),对掩模材料的要求可能是完全不同的。对各类掩模的基本要求是薄膜要耐用、耐划、热稳定性好、与玻璃的粘附性好、以及能抵抗有机清洗剂或溶剂的浸蚀,没有针孔等。最通用的材料是在钠钙玻璃或硼硅玻璃板上的700～1000埃厚的铬。铬掩模较早地取代了照相乳剂掩模,因为不透光层较薄、较硬,以及线条清晰。超大规模集成电路(VLSI)微型化的趋势,结合由电子束制造主掩模和投影复印,也已增加了对掩模材料的要求。发展 VLSI 的重点放在低缺陷密度和无针孔的材料上。增加图形的复杂性和使用正性抗蚀剂导致了大量掩模的大范围不透明,因此定位更     

4千兆赫1瓦晶体管

一、引言千兆赫频带功率管的进展非常显著,最近终于出现了4千兆赫下输出5瓦、增益为4分贝的晶体管。几乎在同时,我们也报导了在4千兆赫下输出1瓦,增益为5分贝的FT1706型晶体管的研究工作。研究千兆赫频带功率晶体管时,需要解决的特殊问题是:(1)减小发射极陷落效应(简称EDE),(2)减小半导体管壳的寄生参量。其中,我们特别注重前者,由于减小了EDE,就得到在4千兆赫下输出1瓦的晶体管。同时,使用了进一步改进的减小公共端电感和输入输出端反馈电容的同轴管座。众所周知,如用磷做发射极掺杂,则将显著发生EDE,这样不仅不能减薄基区宽     

电子束制版的研究

采用我国制造的DB-2型电子束曝光机;以其极细的电子束斑(0.3微米),在计算机的控制下,对铬版上的抗蚀剂进行曝光。通过化学腐蚀工艺,制备了具有最细线宽1微米、套刻精度1微米的3千兆赫、5瓦和最细线宽0.7微米的6千兆赫、1瓦微波晶体管图形。文中扼要介绍了电子束曝光原理和掩模制备工艺过程,并对铬版腐蚀的化学机理进行了讨论。     

X 线复印在亚微米加工上的应用

X 线复印为什么变得必要起来?本文叙述了它的发展必然性与电子束复印的相互关系,为了对 X 线复印的原理进行讲解,在对掩模、X 线源,X 线抗蚀剂,掩模重合等边举实例的同时,边注重解释它们各自对应的原理。特别是考虑到想把 X 线复印与电子束的方法加以比较的读者很多,本文着重解释电子线与 X 线在束的散射文式上到底有什么不同。因现在还没有发表过更多的应用实例,所以这里只例举了林肯研究所的实验成果。     

铝蚀刻技术及其装置

有关半导体器件或集成电路的批量生产中的晶体生长、扩散、氧化工艺等加工技术跟电气特性的关系已讨论的比较详细了。而电极形成工艺,除特殊器件外,一般满足于作成欧姆接触就行,而过去未加以详细讨论。最近,对半导体器件或集成电路的高性能、高可靠性的要求变得非常严格起来。在这种性能、可靠性方面,认识到成问题的器件恶化的主要原因,与其说由扩散、氧化工艺引起的,还不如说是由抗蚀剂、电极形成工艺方面引起的。     

微细光刻用抗蚀剂

随着大规模集成电路(LSI)的高密度化,图形微细化,进一步对尺寸、曝光精度有更严格的要求,所以从光刻掩模到光致抗蚀剂剥离技术这一系列的光刻工艺过程(装置的选择、安装、维护,材料药品的选择、使用方法,工艺最佳条件的掌握,环境)全都要求提高到同一水平。就一般情况而言,形成所希望的图形是越来越困难了。仅就抗蚀剂的选择和使用技术来说,并不构成形成微细图形的必要条件,这里仅就抗蚀剂加以说明。由负性抗蚀剂制作微细图形 1.负性抗蚀剂的特长抗蚀剂分为负性和正性,无论哪种,分辨率都超过现在的光学系统。但两者在特性